另外一方面因为大家形成了用100nF去耦的习惯,这样的电容通常也有大量的库存,采购价格也便宜,所以也没必要标新立异去选其它容值,比如82nF,效果可能差不多,但你这么用,采购的同事肯定会找你的麻烦。 另外一方面,现在大量的高速IC尤其是高速数字IC会集成...
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100V104 100V100NF 工业级 高频独石电容 轴向胶木电容器 径向引出线 方块状 深圳市越洋伟业电子有限公司 5年 查看详情 ￥0.13/个 广东深圳 陶瓷村田贴片电容1206 104J 100NF NPO COG 50V 高频MLCC CCC 片式电容器 深圳市普旭达电子有限公司 3年 查看详情 ￥0.10/个 广东深圳 1206 104J 100NF COG ...
104=标称容量100nF。K=误差±10% 500NT=额定工作电压50V。贴片电容进行误差：±5%;II级±10%;III级±20%。在一些具有特殊教育情况下，误差为±20%精密电容的允许存在误差影响较小，而电解电容的误差产生较大，采用各种不同的误差评价等级。F代表±1% G代表±2% J代表±5%;K代表±10%;M代表±20% Z 代表 ...
NF100-S-110非接触式逆止器NF100型非接触式逆止器是一种高速防逆转装置,NF100逆止器额定逆止力矩为10000N.M,转速375r/min,转速1500r/min,总高度为425,直径为295,内孔范围是90-110,常用的孔径有90,95,100,110.常用的表示型号有NFS100-90,NFN100-90,NFS100-95,NFN100-95,NFS100-100,NFN100-100,NFS...
今天的许多设计都包括三个不同值的去耦电容器,或者当只使用一个电容器时,可以使用 0.1 uF 这样的小值。这些建议基于 50 年前不适用的假设。是时候重新考虑这些过时的遗留设计指南了。 作为遗留问题的神话 从一开始,电子行业就被更快、更小、更便...
STEVAL-MKI152V1 circuit schematic R1 R0 R2 R0 R3 R0 Vdd JP1 JP2 U1 LI S2DM 1 24 Vdd/IO 2 23 Vdd SCL 1 11 SDO C1 Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)100nF + C2 10uF SDA SDO CS SCL 2 SDA 3 SDO 4 CS GND GND GND Vdd 10 9 8 Vdd/IO Vdd ADC1 ADC2 ADC3 3 22 4...
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