首先，我们要在网上淘一个本田雅阁或者北京现代车的进气压力传感器。以图中本田雅阁进气压力传感器为例，从正面从左往右看，第一脚标记V，表示接5伏电源，第二脚标记⊙，表示从传感器出来的信号，第三脚标记G，表示接地线。然后在电子产品经营部买一个7805或者7809三端稳压器。我说明一下：三端稳压器7805表示输出电...
制作上电极，就构成了一.个可以敏感压力的电容器。电谷面的间隙由牺牲层和多晶硅或氮化硅的厚度所决定。目前，薄膜淀积技术比较成熟，膜的厚度和质量都能严格控制。与采用体硅工艺的传感器相比，表面硅传感器的加工工艺比较简单,省去了静电键合工序。同时，由于表面硅工艺与集成电路工艺的相容性,传感器的条理电路可与传...
专利摘要显示，本申请提供了一种压力传感器及其制作方法，涉及压力传感器技术领域，其旨在解决压力传感器灵敏度差且响应慢的技术问题。该压力传感器包括压力敏感层、硬质导电层、第一电极及第二电极；硬质导电层设置于压力敏感层上，且两者形成密封的空腔；压力敏感层朝向硬质导电层的表面设置有微凸结构，微凸结构与硬质导...
专利摘要显示，本发明提供了一种 MEMS 压力传感器的空腔制作方法，包括：步骤 S1：提供一面形成有压力器件的晶圆；步骤 S2：在所述晶圆的另一面上形成有第一图案化的光阻层，在所述晶圆形成有所述压力器件的一面形成一层第一介质层；步骤 S3：提供一载板，所述载板的一面形成有第二介质层；步骤 S4：采用真空...
硅电容压力传感器的制作工艺DATE:1970-01-01制作工艺 硅电容式压力传感器的敏感元件是薄膜,它可以由单晶硅、多晶硅等利用半导体工艺制作而成。典型的电容式传感器由上下电极、绝缘体和衬底构成。当薄膜受压力作用时,薄膜会发生一定的变形,因此,上下电极之间的距离发生一定的变化,从而使电容发生变化。但电容式压力传感器的...
第一介质层，位置于压敏感应组件远离第一衬底的一侧，并内设有贯穿的空腔，该空腔在第一衬底上的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底上的正投影；还有第二衬底，与第一介质层键合连接。本申请通过这样的结构设计，实现了微机电压力传感器封装尺寸小、制作工序简单等优点。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
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某公司新研发了一种压敏电阻,用来制作压力传感器.其采用如图所示方式对新产品进行内部测试.已知电源电压U=24V,电流表量程为0～0.6A.闭合开关S,不断改变样品的质量
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