VBsemi RTR025N03TL-VB 是一款 N—Channel 沟道的场效应晶体管,具体参数如下: - 额定电压(VDS):30V - 额定电流(ID):6.5A - 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):30mΩ(在VGS=10V, VGS=20V时) - 阈值电压(Vth):1.2~2.2V 封装为 SOT23。 **应用简介:** ...
RTR025N03TL-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 RTR025N03TL-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 Ca**u∞上传225KB文件格式pdfmosfet SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.2V; (0)踩踩(0) 所需:1积分...