最早的RTP工艺,就是为了离子注入后退火而开发的。RTP设备与传统高温炉管的区别加热元件:RTP采用加热灯管,传统炉管采用电阻丝硅片 温度控制:传统炉管利用热对流及热传导原理,使硅片与整个炉管周围环境达到热平衡,温度控制精确; 反馈 收藏
半导体快速退火炉(RTP)是一种特殊的加热设备,能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温,并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用,如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。 广告 半导体退火炉-优选晟鼎,可精确控温±1°保证产品的均匀性 一...
【论述题】简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温炉管它有什么优势? 答案:RTP工艺是一类单片热处理工艺,其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算(Thermal... 点击查看完整答案手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【论述题】 简述硼和磷的退火特性。 答案:硼退火特性电激活比例...
问答题 简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温炉管它有什么优势?本题答案:微信扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《___》或《___》题库
对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产 生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的? 点击查看答案 第4题 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。 点击查看答案 第5题 什么是离子注入的横向效应...
最早的RTP工艺,就是为了离子注入后退火而开发的。RTP设备与传统高温炉管的区别加热元件:RTP采用加热灯管,传统炉管采用电阻丝硅片 温度控制:传统炉管利用热对流及热传导原理,使硅片与整个炉管周围环境达到热平衡,温度控制精确;而RTP设备通过热辐射选择性加热硅片,较难控制硅片的实际温度及其均匀性。 升降温速度:...
答:(1)RTP 设备的工作原理:RTP工艺是一类单片热处理工艺,其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算(Thermal Budget)。 RTP工艺的发展,是为了适应等比例缩小器件结构对杂质再分布的严格要求;最早的RTP工艺主要用于注入后的退火。目前,RTP工艺的应用范围已扩展到氧化、化学气相淀积和...
RTP工艺是一类单片热处理工艺,其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算(ThermalBudget)。RTP工艺的发展,是为了适应等比例缩小器件结构对杂质再分布的严格要求;最早的RTP工艺主要用于注入后的退火。目前,RTP工艺的应用范围已扩展到氧化、化学气相淀积和外延生长等领域。杂质的再分布问题...
传统的高温炉管工艺,由于升、降温缓慢和热处理时间长,从而造成热处理过程中杂质的再分布问题严重,难以控制PN结结深。最早的RTP工艺,就是为了离子注入后退火而开发的。RTP设备与传统高温炉管的区别加热元件:RTP采用加热灯管,传统炉管采用电阻丝硅片 温度控制:传统炉管利用热对流及热传导原理,使硅片与整个炉管周围...