9.如果SET和RESET的电压值(绝对值)两者差距太大,也会导致忆阻器的耐用时间减小,如图13所示,因此最好用Balance的设计,即SET和RESET的电压值大小一样,此时耐用时间最长。 图14 T- accelerated retention test 10.根据基于温度的耐久性测试,RRAM的retention表现很好,标准高温测试可以用10年以上,如图14所示,比常规的存储...
忆阻器的概念最早由蔡少棠教授提出，最早由阻变存储器，即RRAM实验验证，因此经常以RRAM作为忆阻器的代表。当然，严格来说，根据材料和物理机制，忆阻器件可分为阻变存储器（Resistive Random-Access Memory, 简称RRAM或ReRAM)，相变存储器（PCRAM），磁随机存储器（MRAM）和铁电随机存储器（FeRAM）等不同种类。此外...
冯丹表示,比较包括自旋转移在内的几种存储器,其中最典型的代表就是忆阻变,通过不断的研究发展,当前的RRAM容量很大,速度很快能耗很低,所以也认为RRAM也是下一代代替DRAM的一个很好的选择。 以RRAM为例,用忆阻器来做存储,金属氧化物的存储器的主要原理,首先就是在低阻态状态下,存储器可以使导电丝断掉,成为高阻态,...
其中,电阻式随机存取存储器(RRAM)依靠改变电阻水平来存储数据。最近发表在《AngewandteChemie》杂志上的一项研究详细介绍了清华大学李原领导的研究小组的工作,他们开创了一种制造超分子忆阻器的方法,而忆阻器是构建纳米随机存取存储器的关键部件之一。 忆阻器(memristor,memory-resistor的缩写)会根据施加的电压改变电阻。然...
忆阻器(Resistive Random Access Memory,简称RRAM)是一种新型的非挥发性存储器技术,近年来备受关注。RRAM的存算一体路线是指在一块芯片上同时实现存储和计算功能,这种设计可以显著提高存储器的性能和功耗效率。在过去几年中,RRAM的存算一体路线已经得到了广泛的研究和肯定。
“RRAM是我们的近期目标,但我们对忆阻器的长期目标是通过创建具有学习能力的自适应控制电路改变运算机制。”惠普实验室忆阻器首席研究员Duncan Stewart表示。 使用类似于RRAM的矩阵架构并借助于模拟电路中的精确电阻变化,惠普实验室声称在每个交叉点具有可调电阻的大规模忆阻器阵列可以实现像人脑一样的学习功能。在人的大脑...
性随机访问存储器(RRAM)能打开忆阻器的市场大门。惠普实验室承诺明年推出 这些超高密度存储器单元的原型。"我认为忆阻器将使惠普有机会在未来10年 中成为存储器技术的主导者。"Gartner公司副总裁Martin Reynolds表示，"大家已经看到惠普公司过去重新塑造过自己许多次了，忆阻器技术正是推动该 公司再一次发生这种改变的...
下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)的一个很好的选择。
法律状态 2019-12-31 实质审查的生效;2019-12-06 公开 摘要 本申请实施例提供了一种忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM,该忆阻器的制造方法包括:沉积所述忆阻器的下电极;在沿所述忆阻器的下电极的沉积方向的截面制备所述忆阻器的电阻层;在所述忆阻器的电阻层上制备所述忆阻器的上电极。新闻...
摘要 本发明提供了一种基于忆阻器RRAM的乘法器,本发明基于原有的加法器给出了表决器逻辑的乘法器,采用华莱士树的结构进行运算,将乘法操作转变为对应的加法操作,并且利用华莱士树结构可以在较短的时间将多个n‑bit数相加规约到2个n‑bit数相加的特点,并且每一次的全加操作对于利用表决器逻辑而言是可以同时进行的。