RQJ0601DGDQS-VB.pdf --- 产品详情 --- **产品简介:** RQJ0601DGDQS-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,具有单个P沟道。该晶体管适用于中低功率电子应用,采用SOT89-3封装,适合紧凑型电路设计。具有-60V的漏极-源极电压承受能力和-5A的漏极电流承受能力。在栅极-源极电压为10V时,其导通电阻(RDS(ON))为...
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RQJ0601DGDQS由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 RQJ0601DGDQS 价格参考¥ 0.819 。 JSMSEMI/杰盛微 RQJ0601DGDQS 封装/规格: SOT-89-3, P沟道,-60V,-6.5A,58mΩ@-10V。你可以下载 RQJ0601DGDQS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有详细引脚图...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 RQJ0601DGDQS#H3、 RENESAS、 N/A 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS 封装: N/A 批号: 2021+ 数量: 800 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V ...
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