Complementary to the RN1101MFV to RN1106MFV 类似零件编号 - RN2106MFV 制造商部件名数据表功能描述 Toshiba SemiconductorRN2106 256Kb/7PTOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2106 572Kb/8PSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And...
RN2106MFV,L3F(CT由TOSHIBA(东芝)设计生产,立创商城现货销售。RN2106MFV,L3F(CT价格参考￥0.1068。TOSHIBA(东芝) RN2106MFV,L3F(CT参数名称:晶体管类型:1个PNP-预偏置;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;耗散功率(Pd):150mW;直流电流增益(hFE):80@1
RN2106MFV,L3F 8000 Yes - General Use RN2106MFV,L3XGF 8000 - Yes Yes (Note) Unintended Use (Note) RN2106MFV,L3XHF 8000 - Yes Yes Automotive Use (Note):For more information, please contact our sales or use the inquiry form on our website.技术...
RN2106MFV,L3F8000 Yes-General Use RN2106MFV,L3XHF8000-YesYesAutomotive Use 技術方面問題 聯絡我們 聯絡我們 常見問題 常見問答 相關信息 Quality / Reliability Information (Quality Guidelines, Reliability Handbook etc.) Part Naming Conventions (MOSFETs) ...
RN2106MFV データシート/英語[2024年10月]PDF: 737KB アプリケーションノート 小型面実装 バイポーラトランジスタの最大定格[2022年01月]PDF: 995KB アプリケーションノート 抵抗内蔵型トランジスター(BRT)の電気的特性[2021年08月]PDF: 984KB ...
Data sheet RN2106MFV Data sheet/Japanese PDF: 830KB Oct,2024 Data sheet RN2106MFV Data sheet/English PDF: 737KB Oct,2024 Simulation Model PSpice Model ZIP: 2KB Sep,2017 Simulation Model LTspice Model (Note) ZIP: 6KB Mar,2019 UPDATED Reliability Information Reliability Data PD...