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型号:RN1101 标记/丝印/代码/打字:XA 厂家:TOSHIBA 封装:SOT-523/ESM 批号:11+rohs 库存数量:27000 所属分类:三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) 带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT) 技术文档PDF:在线阅读 在线购买 (Search Stock)Send order to our E_mail: ...
半导体与存储产品首页 半导体 双极晶体管 产品详细Sorry, the page you’re looking for can’t be found. Search by entering keywords in the search box at the top of this page.在新窗口打开 网站地图 半导体产品 功率半导体 MOSFET IGBT/IEGT 隔离器/固态继电器 电源管理IC 智能功率IC 线性IC 电机驱动...
RN1101 数据表 (HTML) - Toshiba Semiconductor 部件名RN1101 下载RN1101下载 文件大小252.02 Kbytes 页7 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications...
RN1101MFV 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 针数: 3 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.44 Is Samacsys: N 其他特性: BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 外壳连接: COLLECTOR 最大集电极电流 (IC): 0.1 ...
RN1101,LXGF3000-YesYes(注)特定用途(注) RN1101,LXHF3000-YesYes車載用途 (注):詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。 技術的なお問い合わせ お問い合わせ お問い合わせ
RN1101MFV,L3F由TOSHIBA(东芝)设计生产,立创商城现货销售。RN1101MFV,L3F价格参考￥0.0979。TOSHIBA(东芝) RN1101MFV,L3F参数名称:晶体管类型:1个NPN-预偏置;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;耗散功率(Pd):150mW;直流电流增益(hFE):30@10mA,5V。
RN1101/XA 产品详情 Application Scope:General-purpose Polarity:NPN Internal Connection:Single Complementary Product:RN2101 AEC-Q101:Qualified(*) RoHS Compatible Product(s) (#):Available Assembly bases:Japan / Thailand 特性 Assembly bases:4.7 kΩ ...