数据列表 RJH65T14DPQ-A0; 标准包装 1 包装 管件 零件状态 有源 产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道 不同Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.75V @ 15V,50A 功率- 最大值 250W 开关能量 1.3mJ(开),1.2mJ(关) 输入类型 标准 栅极电荷 80nC 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/125ns...
集电极—射极饱和电压: 1.45 V 栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V 在25 C的连续集电极电流: 100 A Pd-功率耗散: 250 W 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 封装: Tube 商标: Renesas Electronics 集电极最大连续电流 Ic: 100 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 1 uA 高度: mm 长度: m...
RJH65T14DPQ-A0#T0 Renesas Electronics (瑞萨电子) IGBT晶体管 IGBT 分立,Renesas Electronics ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 RJH65T14DPQ-A0#T0、 RENESAS/瑞萨、 TO-247 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS/瑞萨 封装: TO-247 批号: 21+ 数量: 2400 描述: IGBT TRENCH 650V 100A TO247A 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 详细描述: IGBT...
类似零件编号 - RJH65T14DPQ-A0 制造商部件名数据表功能描述 Renesas Technology CorpRJH65T14DPQ-A0 315Kb/10P650V - 50A - IGBT More results Renesas Technology Corp是一家日本半导体公司,可为汽车,工业和消费者市场中的各种应用提供广泛的微控制器,芯片以及模拟和电源设备。
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 RJH65T14、 YBE、 TO-247 商品图片 商品参数 品牌: YBE 封装: TO-247 批号: 2020+ 数量: 9999999 功率: 250W 特色服务: 一站式Bom配套服务 原装正品 品质保证 应用领域: 3C数码 产品说明: IGBT-沟道-650V...