rjh60f3场效应管参数rjh60f3场效应管参数如下: 耗散功率为178500mW。 击穿电压(集电极-发射极)为600V。 反向恢复时间为140ns。 额定功率(Max)为178.5W。 工作温度(Max)为150℃。 工作温度(Min)-55℃。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
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RJH60F3DPQ-A0 硅N沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关 特点 低集电极/发射极饱和电压 V CE(sat) =1.4V典型值(I C =20A,V GE =15V,Ta=25°C) 单一封装内置快速恢复二极管 沟槽栅与薄晶圆技术 快速开关时间 t f =92ns典型值(I C =30A,V CE =400V,V GE =15V,Rg=5 ,Ta=25°C,感性负载) 封装...
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功率-最大值 : 178.5W 开关能量 : - 输入类型 : 标准 栅极电荷 : - 25°C时Td(开/关)值 : 44ns/65ns 测试条件 : 400V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr) : 90ns 封装/外壳 : TO-247-3 安装类型 : 通孔 供应商器件封装 : TO-247A...
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型号:RJH60F3DPQ-A0 PDF下载:下载PDF文件查看货源 内容描述:600 V - 20 A - IGBT高速电源开关 [600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching] 分类和应用:开关电源开关双极性晶体管 文件页数/大小:8 页 / 89 K 品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ] ...
制造商型号: RJH60F3DPQ-A0#T0 制造商: INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) 产品类别: 晶体管-IGBT 商品描述: IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多RJH60F3DPQ-A0#T0价格库存等...
RJH60F3DPQ-A0PreliminaryR07DS0391EJ0200 Rev.2.00Page 3 of 7Jul 22, 2011Main CharacteristicsTypical Output Characteristics806040 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和其他半导体的
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