RJH60D2DPP-M0#T2 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 耗散功率 34000 mW 击穿电压(集电极-发射极) 600 V 反向恢复时间 100 ns 额定功率(Max) 34 W 工作温度(Max) 150 ℃ 工作温度(Min) -55 ℃ 耗散功率(Max) 34000 mW 封装参数 ...
类似零件编号 - RJH60D2DPP-M0 制造商部件名数据表功能描述 Renesas Technology CorpRJH60D2DPP-M0 88Kb/8PSilicon N Channel IGBT Application: Inverter RJH60D2DPP-M0 108Kb/10P600V - 12A - IGBT Application: Inverter More results 类似说明 - RJH60D2DPP-M0 ...
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类似零件编号 - RJH60D2DPP-M0-T2 制造商 部件名 数据表 功能描述 Renesas Technology Corp RJH60D2DPP-M0 88Kb / 8P Silicon N Channel IGBT Application: Inverter RJH60D2DPP-M0 108Kb / 10P 600V - 12A - IGBT Application: Inverter More results ...
Part Number : RJH60D2DPP-M0#T2 Manufacturer : Intro : - PDF : PDF Stock : 14 Unit price : No price. Quantity :Enquiry Top products HZL2005I08E3 HZL2005I08EM Hi3510 Hi3511 Hi3512 Hi3520 Hi3515 Hi3516 Recently Viewed RJH60D2DPP-M0#T2 ...
功率-最大值 : 34W 开关能量 : 100µJ(开),160µJ(关) 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 19nC 25°C时Td(开/关)值 : 32ns/85ns 测试条件 : 300V,12A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr) : 100ns 封装/外壳 : TO-220-3 整包 安装类型 : 通孔 ...
RJH60D2DPP-M0#T2由Renesas设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 RJH60D2DPP-M0#T2 价格参考￥ 10.307 。 Renesas RJH60D2DPP-M0#T2 封装/规格: SOT78, IGBT Trench 600V 25A 34W Through Hole TO-220FL。你可以下载 RJH60D2DPP-M0#T2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明...
RJH60D6DPK 89Kb/8PSilicon N Channel IGBT Application: Inverter RJH60D2DPP-M0 88Kb/8PSilicon N Channel IGBT Application: Inverter RJH60D3DPE 87Kb/8PSilicon N Channel IGBT Application: Inverter RJH60D7DPK 88Kb/8PSilicon N Channel IGBT Application: Inverter...
Renesas Technology Corp RJH60D2DPP-M0 88Kb / 8P Silicon N Channel IGBT Application: Inverter RJH60D2DPP-M0 108Kb / 10P 600V - 12A - IGBT Application: Inverter More results Similar Description - RJH60D2DPP-M0 Manufacturer Part # Datasheet Description Renesas Technology Corp RJH60D1DPE 86...