1.CMOS电路的延迟与功率消耗 关键概念 晶体管非理想特性 关断时存在漏电流 导通时存在有限电阻 电容效应 节点电压变化需充放电,导致延迟 延迟积累 级联门电路的总延迟为各阶段延迟之和 功率公式 PSW=1/2αCVdd2F α: 活动因子,C: 总电容,F: 时钟频率 2.RISC-V数据路径设计 核心组件 寄存器文件(Regfile) 32...
Tendourisu 3 人赞同了该文章 RISC-V 流水线与处理器设计总结 RISC-V 流水线设计 流水线阶段 IF(取指):从指令存储器(IMEM)读取指令。ID(译码/读寄存器):解析指令,读取寄存器值。EX(执行):ALU 计算或地址生成。WB(写回):将结果写回寄存器。MEM(访存):访问数据存储器(DMEM)。 流水线寄存器 ...
语言/字幕:汉语 更新时间:20201112 简介:lazyparser上传的科技视频:OSDT Meetup Hangzhou 20201024:RISCV/社区、ART、QEMU/RISU,粉丝数16,作品数79,免费在线观看,视频简介:OSDT Meetup Hangzhou 20201024:RISCV/社区、ART、QEMU/RISU UP主简介 lazyparser
cs61c-lec07-RISCV指令基础2 Tendourisu 4 人赞同了该文章 lec07-RISCV指令基础2-学习笔记 1. 课程脉络timeline title RISC-V函数实现专题演进 2022春 : 指令基础 → 条件分支 → 无条件跳转 2022春 : 函数调用机制 → JAL/JALR指令 → 栈帧管理 2022春 : 调用约定 → 寄存器分类 → 实际案例解析 ...
-内存访问:字节寻址需4位地址(16字节),字寻址需2位地址(4字)(第24-25页)。 代码示例: addi x9, x0, 0x3F5 # x9 = 0x000003F5 sw x9, 0(x5) # 存储到内存地址x5 lb x10, 1(x5) # 加载字节:x10 = 0xFFFFFF03(符号扩展) 4.2 控制流与分支 ...
Tendourisu lec13-RISC-V的控制器实现与流线入门 单周期数据路径 核心组件 5个阶段:IF(取指)、ID(译码)、EX(执行)、MEM(访存)、WB(写回) 关键单元: IMEM(指令存储器) RegFile(寄存器文件) ALU(算术逻辑单元) DMEM(数据存储器) Imm Gen(立即数生成器) Branch Comp(分支比较器) ...
遍历重定位表:重定位表记录了目标文件中需要在链接时进行调整的信息,比如一些符号引用的位置。遍历这个表,对每一个表项进行处理。 填充所有绝对地址:通过处理重定位表中的表项,将程序中使用的相对地址或者符号引用替换为最终运行时的绝对地址,使得程序在运行时能够正确地访问到所需的代码和数据。
Tendourisu 1 人赞同了该文章 cs61c-lec08-RISCV指令总结 R型:2S + 1D image.png I型 1IMM + 1S + 1D image.png image.png S型 1IMM + 2S image.png B型 1IMM+ 2S image.png [!attention]+ 为了与 16 位的 riscv 兼容,本来可以扩展 2 位(由于对齐的规则,后两位一定是零)结果只能扩展一位(...