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RFP40N10-VB是一款N沟道场效应晶体管(FET),具有高电压和高电流特性。它适用于需要高性能电流控制的电子应用。TO220封装适合各种电路设计。 应用领域: 1. 电源开关模块:RFP40N10-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
RFP40N10 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Obsolete 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.29 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 100 V 最大漏极电流 (Abs) (ID): 40 A 最大...
RFP40N10LE由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。RFP40N10LE价格参考￥5.28。onsemi(安森美) RFP40N10LE参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):40A;导通电阻(RDS(on)):40Ω@5V,40A;耗散功率(Pd):150W;阈值电压(Vgs(th)):3V;栅
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 RFP40N10LE-VB 商品编号 C19711273 商品封装 TO-220AB 包装方式 管装 商品毛重 2.25克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 属性参数值
类似零件编号 - RFP40N10 制造商部件名数据表功能描述 Intersil CorporationRFP40N10 51Kb/6P40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs VBsemi Electronics Co.,...RFP40N10 947Kb/7PN-Channel 100-V (D-S) MOSFET Intersil CorporationRFP40N10LE ...
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