原装RFP3055N沟道MOS管12A 60V 0.15Ω直插TO-220 场效应管 现货 深圳市前海新功率科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.10 RFP3055RLE TO-220 MOS场效应管 60V 12A 电子元器件库存现货 深圳市煌城电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
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- 耐高压:RFP3055的耐压能力也非常出色,其最大漏源电压(VDS)为60伏。这使得其在需要处理高电压的应用中,如太阳能发电系统和工业自动化设备中,能够稳定可靠地工作。 - 热管理性能:RFP3055具有良好的热管理性能,其结壳热阻(RθJC)较低,约为1.5°C/W。这意味着其能够有效地散热,确保在高功率应用中长时间工作时...
部件名RFP3055 下载RFP3055下载 文件大小418.34 Kbytes 页8 Pages 制造商FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] 网页http://www.fairchildsemi.com 标志 功能描述12A,60V,0.150Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs...
RFP3055 数据表 (HTML) - Intersil Corporation 部件名RFP3055 下载RFP3055下载 文件大小82.17 Kbytes 页8 Pages 制造商INTERSIL [Intersil Corporation] 网页http://www.intersil.com/cda/home 标志 功能描述12A,60V,0.150Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field ...
场效应MOS管RFP3055LE参数 PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.107ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA 立即咨询 RFP3055LE是一种N沟道增强型功率MOSFET,其应用范围广泛,涵盖了许多工业和消费...
RFP3055 厂商: FAIRCHILD(仙童半导体) 封装: 描述: RFP3055 - 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs - Fairchild Semiconductor 数据手册:下载RFP3055.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 RFP3055 数据手册 RFD3055, RFD3055SM, RFP3055 D ata Sheet January 2002 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel ...
RFP3055-VB 询价 品牌:VBsemi 型号: 商品编号: 封装规格: TO220 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
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