部件名RFD4N06L 下载RFD4N06L下载 文件大小38.37 Kbytes 页5 Pages 制造商INTERSIL [Intersil Corporation] 网页http://www.intersil.com/cda/home 标志 功能描述4A,60V,0.600Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs The RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect tra...
类似零件编号 - RFD12N06RLESM 制造商部件名数据表功能描述 Fairchild SemiconductorRFD12N06RLESM 215Kb/10P17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Intersil CorporationRFD12N06RLESM 49Kb/6P12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs ...
类似零件编号 - RFD12N06RLESM 制造商部件名数据表功能描述 Intersil CorporationRFD12N06RLESM 49Kb/6P12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs VBsemi Electronics Co.,...RFD12N06RLESM 896Kb/6PN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET ...
参考价(含税价) 2500+¥ 1.133 5000+¥ 1.0918 批量议价 原厂代理库存:8000 个(一整包装有2500个) 年份:24+ 货期:2-4工作日发货 订货数量: -+ 合计:¥2832.5 加入订货单 品牌: VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:RFD14N06LSM-VB
品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子) 商品型号RFD12N06RLES-HXY 商品编号C22366902 商品封装TO-252-2L 包装方式 编带 商品毛重 0.397778克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 属性参数值 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on...
RFD4N06LSM 38Kb/5P4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs BYCHIP ELECTRONICS CO.,...RFD4N06LSM9A 780Kb/5PN-channel Enhancement Mode Power MOSFET More results Similar Description - RFD4N06L ManufacturerPart #DatasheetDescription ...
RFD16N06LESM9A-VB 是一款 N-沟道 MOSFET 器件,由 VBsemi 生产。它具有高压、高电流处理能力,适用于需要高性能功率控制的应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为工业和消费类电子设备的理想选择。RFD16N06LESM9A-VB 封装在 TO252 封装中,易于安装和散热。
RFD16N06LESM9A品牌厂家:ON Semiconductor(安森美),RFD16N06LESM9A渠道分销商:7家,现货库存数量:7305 PCS,RFD16N06LESM9A价格参考:¥6.391元。ON Semiconductor(安森美) RFD16N06LESM9A参数(TO-252,封装:TO-252-3),RFD16N06LESM9A中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(7页,325KB),您可以在RFD16N06LES...
RFD4N06L 概述 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 4A , 60V , 0.600欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 功率场效应晶体管 RFD4N06L 规格参数 是否Rohs认证: 不符合 生命周期: Obsolete Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.29 Is Samacsys: N 外壳连接: ...
描述 N沟道,60V,18A 品牌名称onsemi(安森美) 商品型号RFD12N06RLESM9A 商品编号C184160 商品封装TO-252(DPAK) 包装方式 编带 商品毛重 0.438克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)...