部件名RFD4N06L 下载RFD4N06L下载 文件大小38.37 Kbytes 页5 Pages 制造商INTERSIL [Intersil Corporation] 网页http://www.intersil.com/cda/home 标志 功能描述4A,60V,0.600Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs The RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect tra...
类似零件编号 - RFD12N06RLESM 制造商部件名数据表功能描述 Intersil CorporationRFD12N06RLESM 49Kb/6P12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs VBsemi Electronics Co.,...RFD12N06RLESM 896Kb/6PN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET ...
RFD16N06LESM9A品牌厂家:ON Semiconductor(安森美),RFD16N06LESM9A渠道分销商:7家,现货库存数量:7305 PCS,RFD16N06LESM9A价格参考:¥6.391元。ON Semiconductor(安森美) RFD16N06LESM9A参数(TO-252,封装:TO-252-3),RFD16N06LESM9A中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(7页,325KB),您可以在RFD16N06LES...
品牌:VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:RFD14N06LSM-VB 产品状态:在售 封装规格:TO-252 数据手册: 商品编号:L103746107 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VBsemi(微碧半导体) 封装规格 TO-252 包装 圆盘 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...
RFD16N06LESM9A-VB 是一款 N-沟道 MOSFET 器件,由 VBsemi 生产。它具有高压、高电流处理能力,适用于需要高性能功率控制的应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为工业和消费类电子设备的理想选择。RFD16N06LESM9A-VB 封装在 TO252 封装中,易于安装和散热。
深源信RFD15N06LESM 全新原装正品 低价抛售 货源充足 深圳市深源信科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.80 RFD15N06LESM 封装TO-252 贴片 全新现货 深圳市福田区锋达电子经营部1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
品牌名称 TI(德州仪器) 商品型号 RFD15P06SM 商品编号 C3281417 商品封装 TO-252-3(DPAK) 包装方式 袋装 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)15A ...
RFD16N06LESM-VB 是一款 N-Channel 沟道 MOSFET,由 VBsemi 生产。以下是关于该产品的详细信息: ### 产品简介: RFD16N06LESM-VB 是一款功率 MOSFET,适用于需要高性能功率开关的各种应用。它具有低导通电阻、高开关速度和优秀的体效应结构,可在低电压下实现高效能量转换。封装为 TO252。
原装HLDD060EN 替代RFD16N06LESM9A MOS场效应管 TO-252 20A 60V 广东汇利达半导体有限公司 8年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥2.70 RFD16N06LESM9A/16N05SM/PHD21N06LT-VB TO-252微碧mos管批量可谈 深圳市微碧半导体有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区...
品牌名称 JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 RFD14N06LSM-JSM 商品编号 C18192631 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)20A ...