摘要：本文介绍了PECVD G8.5设备RF 系统的结构和工作原理。结合PECVD 设备在实际生产过程中反射功率过高的问题，通过RF Generator 设置，RF match 电容配比实验，设备故障以及备件管理的分析，制定了相应的解决对策，从而实现RF 系统阻抗匹配，降低RF 系统故障发生率。关键词：PECVD；阻抗匹配；反射功率；射频发生...
1 PECVD RF 系统 1.1 PECVD RF 系统构成 PECVD G8.5 设备 RF 系统构成如图 2,包括 RF Generator,RF match,反应 腔室。 RF Generator:射频发生器,频率 13～14MHz 可变。 RF Match:射频匹配器,由 Load 电容和 Tune 电容并联构成,Load 电容实 现负载电阻匹配,Tune 电容实现负载相位匹配,与反应室串联。
PA的前端正常有一个一级驱动（控制板晶振给定信号），一级放大，二级放大，也要看RF的power大小 ...
匹配器是根据用户负载的变化而调节自己的参数（电感与电容）达到阻抗匹配的目的，以减少反射的目的！射频电源匹配器设计应用交流QQ群128657795 这个行业从业的人员好少，平时都没什么交流的地方，遇到问题都没人参与讨论，小弟邀请要射频电源和匹配器行业精英加入一起探讨射频电源和匹配器开发与应用。
摘要: 本文介绍了PECVD G8.5设备RF系统的结构和工作原理.结合PECVD设备在实际生产过程中反射功率过高的问题,通过RF Generator设置,RF match电容配比实验,设备故障以及备件管理的分析,制定了相应的解决对策,从而实现RF系统阻抗匹配,降低RF系统故障发生率.关键词: PECVD;阻抗匹配;反射功率;射频发生器;匹配器 ...
建议参考Eroglu, Abdullah - Introduction to RF power amplifier design and simulation ...
合理选择生长介质膜的工艺对开关性能有很大影响,本文的RF MEMS开关需要在基底表面生长一层氮化硅膜,一般选择LP-CVD工艺,而介质膜则选择PECVD工艺为宜,金属膜的性能要求相对较低,用溅射方法即可。考虑到基底要求漏电流与损耗尽可能小,选取高阻硅与二氧化硅做基底,后者保证了绝缘要求。金质信号线与下极板通过正胶剥离形成...
PECVD工艺中RF射频功率对μc-Si:H薄膜各项参数影响 占优势。解决该问题的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅。从工艺上来讲,微晶硅的形成需要改变通入硅烷与氢气的稀释率,RF射频功率和沉积压强,来提高微晶硅薄膜的晶化率。美能晶化率 2024-07-23 08:33:56 ...