1.离子鞘层 V_{dc}首先对离子鞘层产生机理加以说明。如下图A所示的平行板型etch设备(RIE),面对面的一对电极中,RF电源隔着阻隔电容器连接承载wafer的电极端,而对向的上电极则成为接地电位。 13,56MHZ常被使用…