1. MOSFET简介。 MOSFET是一种三端元件,由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成。它的导通状态由栅极漏极间的电压控制。当栅极源极间的电压大于阈值电压时,MOSFET处于导通状态。 2. RDS(on)的定义。 RDS(on)是MOSFET导通状态时的电阻,也称为导通电阻。它代表了MOSFET在导通状态下的电阻大小。RDS(on)...
产品简介 OptiMOS™线性FET 将低RDS(on)与宽安全工作区(SOA)相结合 OptiMOS™线性FET是一种变革性方法,利用增强型MOSFET在饱和区域中的工作可避 免对导通电阻(RDS(on))和线性模式功能进行取舍.它同时具有了沟槽MOSFET一流的 RDS(on)和经典平面型MOSFET的宽安全工作区的特点. 该产品非常适合通常...
从MOSFET数据表的传输特性可以看到,25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点,此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分,RDS(ON)为负温度系数;而在VGS转折电压以上的部分,RDS(ON)为正温度系数,这样的特性要求在设计过程中,要特别考虑VGS在转折电压以下的工作区域[1-2]。 在LCDTV及笔记本电脑的主板上,...
日前,VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案,同时实现栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘...
This is the resistance between the drain-source when MOSFET is on at the specified gate-voltage.The on-resistor RDS(ON) is calculated by dividing the specified drain current ID by the drain current ID, increasing VGS to the specified voltage, measuring the ...
Active and Passive Electronic ComponentsActive & Passive Electronic ComponentsSalame, C. ( 2001 ), “ Extraction of RDS(on) of n‐channel power MOSFET by numerical simulation model ”, Active and Passive Electronic Components , Vol. 23, pp. 175 ‐ 83 . []...
新款器件将领先的增强安全工作区(SOA)性能与超低的 RDS(on) 相结合,非常适合用于 12V 热插拔应用,包括数据中心服务器和通信设备。 Nexperia(安世半导体)不断增强器件中关键 MOSFET (金属-氧化物半导体场效应晶体管)的性能,满足特定应用的要求,以打造领先的 ASFET(ASFET 是专门为用于某一应用而设计并优化的 ...
ontransientofMOSFET 27 Turn-offtransientofMOSFET 28 Storedchargeofturn-ontransient AreaB:Storedchargeon capacitances 29 Gatedriveexample GatecurrentcapabilityisalsorequiredforMOSFET Forexample,a500pFC GS chargedwitha1Acurrent, needs8nstoriseto4V 8 30 CrossSectionofCOOLMOS 31 On-StateResistance 32 Cross...
矽源特9926是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)<28mΩ@VGS=4.5V,RDS(ON)<38mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET。矽源特9926的丝印是矽源特9926A:矽源特9926提供SOP-8封装。 The 矽源特9926 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of app...
导通电阻RDS（on）1 1 POWER TRANSISTORS Bipolar junction transistor MOSFET IGBT Snubbers 2Bipolar Transistors 3Characteristics of BJTs (npn-type) Two-port circuit 4 Transfer Characteristics