是指当MOSFET在指定的栅极电压下导通时漏极与源极之间的电阻。 要测量漏极-源极电阻(RDS(ON)),首先要在栅极和源极之间施加一个超过指定阈值电压(Vth)的电压。然后,施加指定的电流源(ID)并测量漏极和源极之间的压降(VDS)。 利用这些测量值,您可以使用公式计算出指定栅极-...
Rds（on）逐渐减小，一般MOSFET在Vgs电压达到10V左右时完全导通，Rds（on）变化不大。
云服务器(ECS)、云数据库(RDS)、对象存储(OSS)和负载均衡(SLB)是阿里云提供的核心云计算服务组件。在选择适用于您开发APP的服务时,您需要考虑应用类型和需求。 云服务器ECS主要用于WEB端开发,提供虚拟服务器、存储和网络等基础构架服务。云数据库RDS主要用于数据库端,兼容MySQL和MSSQLServer,经过阿里云优化,提高稳定...
它会利用传感器测量充电桩的接地电阻和绝缘电阻,并将这些数据传输给控制模块进行分析。如果接地电阻超过安全范围或绝缘电阻过低,充电桩检测装置会发出警报,并提醒用户需要进行相应的修复和维护。 此外,充电桩检测装置还可以对充电桩的充电模式进行监测。它可以检测充电桩是否支持不同的充电模式(如快充、慢充等),以及充电...
Rds（on）与Vgs的关系：随着Vgs增大，Rds（on）逐渐减小，一般MOSFET在Vgs电压达到10V左右时完全导通，...
N+源区掺杂方块电阻ρsqn+取300Ω/□，N+长度Ln+为1.5um。沟道比导Rch,sp，约2.1mΩ·cm2；沟...
1000 V 碳化硅 MOSFET 通过提供具有低导通电阻的独特器件解决了许多电源设计挑战；非常低的输出电容；低源...