相较于传统的Chip-first工艺，RDL-first工艺在载片上先行完成布线，随后进行芯片倒装，从而实现了更精细的线宽线距与更高的封装良率。这一工艺特别适用于多芯片、大尺寸的高密度扇出封装。台积电已推出多种RDL-first封装方案，例如CoWoS-R和InFO，这些方案均借助RDL中介层来达成高性能与高密度互连的需求。三星亦在其...
群创在台南3.5代厂打造RDL-first 以及Chip-first封装工艺,未来产能可达15K/月。 其中,群创chip-first工艺以金属基板开发芯片封装技术,使用WMF作为芯片绝缘层材料,可以轮刀进行芯片切割而不伤芯片,免除使用昂贵的雷射切割设备;厚铜重新布线(RDL)线路直接连接芯片(die)焊垫(bond pad),可满足高功率IC对线路低阻抗值的...
LUJAN [4] 对 RDL-first 和 Chip-first 工艺进行价格比较，结果表明，在当前的技术条件下，当封装芯片种类大于等于三种时，RDL-first 技术成本更低，因此，RDL-first 工艺目前主要应用于复杂的多芯片封装场景下，随着后续芯片价格的进一步上升以及 RDL-first工艺的不断优化，这一工艺必将获得更大范围的应用。需要指出...
扇出型技术主要可以分为三种类型：芯片先装/面朝下（chip-first/face-down）、芯片先装/面朝上（chip-first/face-up）和芯片后装（chip-last，有时候也称为RDL first）。前面两种chip first需要在扇出表面做精细布线，RDL first则需要在晶圆和面板（载具）上线做精细布线，布线能力会更高。封装厂商如果要做出精良...
由于紫外激光可在室温下进行剥离,且可以使用化学性质稳定的材料,因此紫外激光剥离是一种既适用于chip first,也适用于chip last(或RDL-first)扇出型晶圆级封装(FoWLP)的方法。本文介绍的紫外激光剥离解决方案不仅结合了全固态激光的优点,具有维护成本低、功耗低的优点,由于特殊的光束整形光学,还实现了高脉冲频率与高空间...
先进封装 RDL-first 工艺研究进展 张政楷,戴飞虎,王成迁 (中国电子科技集团公司第五十八研究所) 摘要: 随着摩尔定律逐步达到极限,大量行业巨头暂停了 7 nm 以下工艺的研发,转而将目光投向先进封装领域。其…
与传统的Chip-first工艺相比,RDL-first工艺先在载片上完成布线后进行芯片倒装,可以实现更小的线宽线距和更高的封装良率。它特别适用于多芯片、大尺寸的高密度扇出封装。台积电推出了多种RDL-first封装方案,如CoWoS-R和InFO等,这些方案利用RDL中介层实现了高性能和高密度互连。三星在其I-CubeE和R-Cube技术中也...
扇出型技术主要可以分为三种类型:芯片先装/面朝下(chip-first/face-down)、芯片先装/面朝上(chip-first/face-up)和芯片后装(chip-last,有时候也称为RDL first)。前面两种chip first需要在扇出表面做精细布线,RDL first则需要在晶圆和面板(载具)上线做精细布线,布线能力会更高。封装厂商如果要做出精良的扇出型...
扇出型技术主要可以分为三种类型:芯片先装/面朝下(chip-first/face-down)、芯片先装/面朝上(chip-first/face-up)和芯片后装(chip-last,有时候也称为RDL first)。前面两种chip first需要在扇出表面做精细布线,RDL first则需要在晶圆和面板(载具)上线做精细布线,布线能力会更高。封装厂商如果要做出精良的扇出型...
该封装手段主要分为以下类别:安装芯片后布线 / 芯片凸点向下(Chip-first/Face-down)、安装芯片后布线 / 芯片凸 点向上 (Chip-first/Face-up) 以及再布线先行(RDL-first)。前两种封装工艺需要在芯片表面完成布线,而 RDL-first 工艺是在载片上完成布线后进行芯片倒装,可以实现更小的线宽线距和更高的封装良率。