RD100HHF1C 原厂 电子元器件一站配套 RD100HHF1C 999 MITSUBISHI SMD 19+ ￥9.0000元1~4 个 ￥8.0000元5~9 个 ￥7.0000元>=10 个 讯通达科技(深圳)有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 RD100HHF1-101 电子元器件 MITSUBISHI/三菱 封装SOP ...
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关键词: RD100HHF1 公司简介 产品目录 解决方案 公司名称: 深圳市浩时健电子有限公司 联系人: 冯进军 电话: 0755-83996702 手机: 13760397503 地址: 深圳市福田区深南中路田面花园17栋802室 邮编: 518026 主页: http://www.host-ic.com 该厂商相关产品: 压力传感器 24PCFF(24PCFFA6G) 压力传感器 24P...
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三菱RD100HHF1说明书用户手册用户手册产品说明书使用说明文档安装使用手册 Silicon RF Power MOS FET (Discrete) RD100HHF1 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W OUTLINE DRAWING DESCRIPTION RD100HHF1 is a MOS FET type transistor specifically 25.0+/-0.3 designed for HF High power ...
rd100hhf1c-501产品参数 品牌 三菱 封装 Ceramic 批号 21+ 数量 13736 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 100C 最小电源电压 1V 最大电源电压 8V 长度 1.7mm 宽度 4.2mm 高度 2mm 了解rd100hhf1c-501详情 深圳市和烁创新科技有限公司 ...
RD100HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W RD100HHF1 MITSUBISHI ELECTRIC REV.3 8 APRIL. 2004 1/7 ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS DESCRIPTION designed for HF High power amplifiers applications. FEATURES •High power and High Gain:Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd...
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