RCD缓冲电路的设计关键在于将过高的电压降低到一个安全范围内。图2和图3展示了RCD缓冲电路及其关键波形。当Vds（漏极与源极间的电压）超过Vin+nVo时，缓冲二极管Dsn会导通，从而吸收漏电感中的电流。我们假设缓冲电容Csn足够大，以至其电压在一个完整的开关周期内保持恒定。在MOSFET关闭且Vds充电至Vin+nVo的
当 RCD 缓冲电路采用一个 1 nF 缓冲电容和一个 480 kW 缓冲电阻时,图 4 显示交流 开关导通瞬间,在 265 Vac 的几个波形。 图4. 包含 1 nF 缓冲电容和 480 kW 缓冲电阻的启动波形 在图4-7 中,通道 1 至 4 分别代表漏极电压(Vds,200 V/div),电源电压 (VCC, 5 V/div),反馈电压 (Vfb, 1 V/d...
可通过引入一个额外的RCD缓冲电路，将因Llk1与COSS谐振而产生的高电压限制在可接受范围内，从而确保主开关的安全。图2和图3展示了RCD缓冲电路及其关键波形。在Vds超过Vin+nVo时，该缓冲电路通过开启缓冲二极管Dsn来吸收漏电感中的电流。假设缓冲电容足够大，使得其电压在一个开关周期内保持恒定。当MOSFET关闭且Vds充电...
反激式转换器开关管之漏极与源极间的最高电压一般发生于系统工作于最高输入电压并且满载的情况,因此,反激式转换器之被动式电压箝位RCD缓冲电路应以此条件作为电容及电阻的设计依据,而二极管一般应选用快恢复二极管。 一个实际的反激式转换器电源系统的开关管所受应力在加入被动式电压箝位RCD缓冲电路前后的对比见图5...
RCD缓冲电路适用于高频信号和快速变化的输入,能够有效地进行电荷控制和冲击波抑制。以下是一些应用场景: 1. 电源滤波器:RCD缓冲电路可以用于电源滤波器中,以减少电源中的高频噪声。 2. 信号处理:RCD缓冲电路可以用于信号处理中,以抑制冲击波...
3. 快恢复二极管的反向耐压须高于电路最高工作电压 四、工程实践中的效能验证 实际测试表明,优化设计的RCD缓冲电路可将开关管电压应力降低40%-60%,同时使系统效率提升2-3个百分点。这种保护机制对延长功率器件寿命具有显著效果,在工业电源设计中已成为标准配置方案。 ...
一般,反激开关中有两种缓冲电路,一个是RCD缓冲电路,用于在MOSFET关断时,钳位反激初级侧MOSFET的峰值电压,另一个是RC缓冲电路,用于在MOSFET开通时,限制整流二极管的峰值电压,降低震荡幅度。 在下面案例中,缓冲电路测试数据基于具有下列参数的评估板。7.2W反激变换器,输入为90~264Vac,输出电压为12V,最大电流为0.6A,...
全控型器件缓冲吸收电路的主要作用是抑制关断过电压,减小开关损耗,保护器件。在RCD缓冲电路中,电阻R限制电容放电电流并消耗能量;电容C吸收过电压,减小电压变化率;二极管D提供充电通路并阻止反向放电。 1. 全控型器件(如IGBT、MOSFET)在关断时,电流突变导致线路寄生电感产生高压尖峰(\( V = L \cdot \frac{di}{dt...
放电阻止型rcd缓冲电路的核心元件包括电阻(R)、电容(C)和二极管(D)。典型连接方式为:二极管与电阻并联后,再与电容串联,整体跨接在开关器件(如IGBT、MOSFET)的集电极-发射极或漏极-源极两端。二极管方向需反向连接,确保电容仅在开关关断时充电。 工作原理 当开关器件关断时,电路中电感存储的能量无法瞬间释放,导致电...
总的来说,RC缓冲电路和RCD缓冲电路都是电路设计中常用的电子电路,它们可以用于信号的延时、平滑处理以及抑制冲击波和降低信号噪声。RCD缓冲电路由于加入了二极管,具有更好的电荷控制和冲击波抑制能力,特别适用于高频信号和快速变化的输入。但需要注意的是,RCD缓冲电路的设计较...