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申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人: 陈宏 国省代号: CN310115 摘要: 本发明提供一种光刻胶去除方法及半导体器件制作方法,先在低温环境下对待去除的光刻胶层进行湿法浸泡清洗,从而可以软化并去除该光刻胶层表层的大部分硬壳,同时可以降低整个光刻胶层去除的成本;然后再对清洗后的半导体衬...
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年份: 2021 收藏 引用 批量引用 报错 分享 全部来源 求助全文 掌桥科研 相似文献岭南音乐2021年第2期封面封底目录 刘长安 - 《岭南音乐》 被引量: 0发表: 2021年来源期刊 岭南音乐 研究点推荐 岭南音乐 站内活动 0关于我们 百度学术集成海量学术资源,融合人工智能、深度学习、大数据分析等技术,为科研工作...