今天我们来聊一聊一种具有双向阻断能力的,逆阻型IGBT(RB-IGBT)。 1 逆阻型IGBT简介 一般情况下,常见的IGBT主要定义的是其正向阻断电压,而反向阻断电压一般不会在Datasheet中被提及到,这是因为IGBT通常会反并联续流二极管,所以对实际应用并没有什么不良影响,除了由于二极管换流造成的反向电压过冲的场合外,IGBT的反...
RB-IGBT是一种具有反向阻断能力的新型功率半导体器件，其内部取消了传统IGBT 的反并联二极管，正、反向均可承受电压。因此它所构成的双向开关可以省去普通IGBT 所并联的二极管，采用 RB-IGBT 时通态损耗较低。
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IGBT驱动保护电路可以有效地驱动开关元件，并快速，稳定地实现元件的过流保护。器件的电气隔离完全满足间接矩阵转换器的控制要求，并且还可以应用于具有更多开关器件的其他电路拓扑，例如常规矩阵转换器和多电平转换器[1]。1RB-IGBT驱动电路 RB-IGBT作为少数载流子器件，不仅具有很好的导电性，而且具有易于驱动，峰值电流...
于 基于 RB-IGBT 的双级矩阵变换器设计与实现的任务书 1. 项目背景: 随着电力电子技术的不断发展,双级矩阵变换器(Dual-Stage Matrix Converter,DSMC)被广泛应用于电机驱动等领域。DSMC 具有电压转换比高、输出电压波形质量优良、多电平输出等优点,而且无需中间电容,是一种非常实用的电力变换器。 RB-IGBT(Reverse-...
专利名称：RB-IGBT 发明人：LU HONGFEI,魯 鴻飛 申请号：JP2016029818 申请日：20160219 公开号：JP2017147393A 公开日：20170824 专利内容由知识产权出版社提供 专利附图：摘要：PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an RB-IGBT with a novel emitter trench structure, in which the withstanding voltage is ...
Turn-on performance of a reverse blocking insulated gate bipolar transistor (RB IGBT) is discussed in this paper. The RB IGBT is a specially designed IGBT having ability to sustain blocking voltage of both the polarities. Such a switch shows superior conduction but much worst switching (turn- ...
网络新型电力半导体器件;绝缘栅双集晶体管 网络释义
100A 的RB 2IGBT 实现了一台三相 三相矩阵式变换器样机,用于驱动一台三相异步电机。换流技术是矩阵变换器技术中一个关键问题。传统基于电流方向的四步换流策略采用电流霍尔检测电流方向,在小电流情况下准确性低。该文检测器件集射极电压确定输出电流方向,并据此实现四步换流。实验证明,该方法电流方向判断准确性远...
简单明了说明双极晶体管、MOSFET、IGBT之间的关系。是暄和呀 立即播放 打开App,流畅又高清100+个相关视频 更多732 -- 46:04 App 霞课堂之IGBT参数解析1 831 -- 0:20 App 什么是IGBT? 752 -- 11:59 App 半导体工艺演变从平面 FINFET到GAAFET,MBCFET芯片制造设计工艺 2017 -- 5:09:35 App 变频器维修...