其实Rashba效应还是由内禀的晶体势导致的:<<assets/Chen-2021-Spin-Orbit Coupling in 2D Semiconduc-20220623111413-6gm14ob.pdf/20220623123752-lhpdwkk ". Because SOC removesthe spin degeneracy due to the intrinsic electric field E that is thegradient of the crystalline potential,">> 内禀电场是晶体势的...
Rashba自旋轨道耦合的理论基础可以通过考虑电子在晶格中运动时的自旋-轨道相互作用来理解。在固体中,电子的自旋是其本征属性,在运动过程中可以与轨道运动相互作用。而Rashba自旋-轨道相互作用是由于晶格对称性破缺或者表面结构引起的。通常情况下,Rashba自旋轨道耦合是在二维电子系统中产生的。在Rashba自旋轨道耦合中,电子的...
Rashba自旋轨道耦合的物理机制可以通过量子力学的观点进一步解释。在Rashba自旋轨道耦合的体系中,自旋算符与轨道角动量算符之间存在耦合关系。在这个耦合的作用下,自旋的方向会受到电子在轨道运动过程中的非均匀电场的影响而发生改变。这种改变导致了电子自旋的转向,从而形成了自旋极化。 Rashba自旋轨道耦合的强度与材料的特性...
2、Dresselhaus和Rashba自旋轨道耦合 Dresselhaus自旋轨道耦合 Dresselhaus首先在缺少反演中心的闪锌矿III-V族半导体化合物中发现,Γ点附近的自旋轨道耦合形式为 H^D3=γℏ(py2−pz2)pxσx+c.p. 其中c.p.表示循环排列指数。在有沿(001)方向的应变时,Dresselhaus自旋轨道耦合会变成如下的线性形式: H^D1=βℏ...
Rashba自旋-轨道耦合基态能量在考虑Rashba自旋-轨道耦合效应下,基于Lee-Low-Pines变换,采用Pekar型变分法研究了量子点中双极化子的基态性质.数值结果表明,在电子-声子强耦合(耦合常数α〉6)条件下,量子点中形成稳定双极化子结构的条件(结合能Eb〉0)自然满足;双极化子的结合能Eb随量子点受限强度ω0,介质的介电常数...
费米能级变化范围从 13 meV 到 488 meV，建立了Rashba自旋－轨道耦合参数和费米能级之间的定量关系，自旋扩散长度与能带填充状态之间的定量关系，揭示了能带填充状态对自旋输运过程的影响，得到了目前为止最大的自旋扩散距离（70nm）和最强的Rashba自旋－轨道耦合参数 (30 meV)。
利用光电协同作用实现了对二维电子气费米能级的大范围调控,费米能级变化范围从13 meV 到488 meV,建立了Rashba自旋-轨道耦合参数和费米能级之间的定量关系,自旋扩散长度与能带填充状态之间的定量关系,揭示了能带填充状态对自旋输运过程的影响,得到了目前为止最大的自旋扩散距离(70nm)和最强的Rashba自旋-轨道耦合参数 (...
Rashba自旋轨道耦合是指由自旋轨道相互作用引起的电子能级分裂的现象。它主要由结构反演不对称性和自旋-轨道耦合相互作用共同引起。在半导体中,Rashba自旋轨道耦合可以在表面或界面处形成特殊能级结构,对电子的输运和自旋极化产生重要影响。 三、声子辅助隧穿概述 声子辅助隧穿是电子在固体中传输的一种重要方式。它涉及到...
在考虑Rashba自旋轨道耦合的系统中,电子的波函数将受到自旋和动量之间的耦合作用。这种耦合作用将导致电子能级发生分裂,并产生自旋极化的电子态。在声子辅助隧穿过程中,晶格振动将影响电子的传输过程。因此,我们需要构建一个包含Rashba自旋轨道耦合和声子效应的理论模型。 首先,我们考虑一个二维电子气系统,其中电子受到Rashb...
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队,在利用强场激光诱导的超快谷电子极化来探测单层MoS2中Rashba型自旋轨道耦合效应方面取得了进展。相关成果以“Probing Rashba spin-orbit coupling by subcycle lightwave...