型号 RA35H1516M-101 技术参数 品牌: MITSUBISHI三菱 型号: RA35H1516M-101 封装: TO-59 批号: 24+ 数量: 9000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 7V 长度: 2mm 宽度: 2mm 高度: 2.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示...
零件号 RA35H1516M-101 类别 描述 RoHS 合规性 ,154-162mhz 40W 12.5v,2 级安培。用于移动无线电 公司 Mitsubishi Electronics Inc. 数据表 下载RA35H1516M-101 数据表 购买 找到哪里买 购买功能,应用 RoHS 合规性 12.5V,2 级安培用于移动广播 40 瓦 RF MOSFET 放大器模块,用于在 162 MHz ...
RA35H1516M RA35H1516M-101 [ 154-162MHz 40W 12.5V H2S ] High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules No reviews yet Shenzhen Jinyuantai Technology Co., Ltd.2 yrsCN Previous slideNext slide Previous slideNext slideKey attributes Industry-specific attributes...
RA55H4047M-101 三菱 型号 RA13H1317M-101 RA35H1516M-101 RA55H4047M-101 描述 符合RoHS标准, 135-175MHz 13W 12.5V , 2级放大器。对于移动电 RoHS Compliance , 135-175MHz 13W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 154-162MHz 40W 12.5V , 2级放大器。对于移动电 154-162MHz 40W 12.5V,...