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品牌名称ROHM(罗姆) 商品型号 R6002END3TL1 商品编号 C3290842 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)600V 连续漏极电流(Id)1.7A
R6002END3TL1 功率MOSFET 1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号R6002END3TL1 制造商ROHM(罗姆) 授权代理品牌 唯样编号A-R6002END3TL1 供货自营 产品周期
制造商编号 R6002END3TL1 制造商 ROHM(罗姆) 授权代理品牌 唯样编号 N-R6002END3TL1 供货 海外代购 代购 产品周期 量产中 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 r6002end3tl1-e.pdf 参数信息 常见问题...
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制造商编号 R6002END3TL1 制造商 ROHM(罗姆) 授权代理品牌 唯样编号 B-R6002END3TL1 供货 富昌电子 代购 产品周期 量产中 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 r6002end3tl1-e.pdf 参数信息 常见问题...
型号 R6002END3TL1 RDD023N50TL 唯样编号 B-R6002END3TL1 A-RDD023N50TL 制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 数据表 r6002end3tl1-e.pdf rdd023n50-e.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信...
R6002END3TL1ROHM Semiconductor数据手册功率MOSFET 1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C 暂无价格0当前型号 RDD023N50TLROHM Semiconductor数据手册通用MOSFET 150°C(TJ) N 通道 CPT3 ￥5.7303 2,500对比 RDD023N50TLROHM Semiconductor数据手册通用MOSFET ...
R6002END3TL1ROHM Semiconductor数据手册功率MOSFET 1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C ￥3.98 0当前型号 RDD023N50TLROHM Semiconductor数据手册通用MOSFET 150°C(TJ) N 通道 CPT3 ￥5.7303 2,500对比 RDD023N50TLROHM Semiconductor数据手册通用MOSFET ...
数据表 SIHD2N80EGE3.pdf r6002end3tl1-e.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs 2.75Ω@1A,10V 3.4Ω 上升时间 - 16ns 漏源极电压Vds 800V 600V Pd-功率耗散(Max) 62.5W(Tc) 26W Qg-栅极电荷 - 6.5nC 栅极电压Vgs ±30V 2V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)...