除了 37 Gbps GDDR7 内存外，三星电子还准备在 2024 年 IEEE-SSCC 上展示其他几项内存创新。首先，该公司将展示新型 280 层 3D QLC NAND 闪存，密度为 1 Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为 28.5 Gb/mm²，速度为 3.2 GB/s。目前为旗舰 NVMe SSD 提供动力的最快 3D ...
除了37 Gbps GDDR7 内存外,三星电子还准备在 2024 年 IEEE-SSCC 上展示其他几项内存创新。首先,该公司将展示新型 280 层 3D QLC NAND 闪存,密度为 1 Tb,可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为 28.5 Gb/mm²,速度为 3.2 GB/s。 目前为旗舰 NVMe SSD 提供动力的最快 3D NAND 闪...
在总产量上，NAND FLASH将超过8000亿GB单量，相比去年增长20%，DRAM预计增长达15%，将达到2370亿GB单量，到今年第一季度预计绝大部分公司的利润率都会得到全面有效的扭转。预计今年后续三个季度的存储市场现货价格将保持平稳向上的趋势。三星电子、长江存储、SK海力士、美光、铠侠等国内外核心存储原厂嘉宾同台进行演讲。
首先在NAND FLASH堆叠技术上,各大原厂继续推进更高堆叠的产品,去年各家均推出200层以上的产品,今年已经朝300层推进,意味着闪存产品的容量将继续提高。 从架构上看,键合技术开始逐步进入主流,这种架构的产品随着堆叠层数提升,成本将更具优势,并且这一技术架构可以将更多特性添加到NAND FLASH里。 随着更多的产品对存储...
三星280层 3D QLC NAND 颗粒密度为1Tb,支持下一代固态硬盘和智能手机,该芯片的磁区密度为 28.5 Gb/mm²,速度为 3.2 GB/s。 接下来是新一代 DDR5 内存颗粒,频率8000MHz,密度为 32 Gbit(4 GB),采用对称“马赛克” DRAM 单元架构,基于三星专为 DRAM 产品优化的第 5 代 10 nm 工艺打造。
YMTC - 232L NAND CXMT - 22nm DRAM Winbond - 25nm Pseudo-Static RAMDevice Technology Roadmaps The technology pertaining to Logic, DRAM, 3D NAND is transforming at an accelerated pace to fulfil the needs of various application fields which will necessitate the future development of ultra-high den...
硬盘为单面 PCB 布局，由 2 颗 NAND 闪存、1 颗主控组成，一些比较紧凑的轻薄本、便携掌机也可以适配。撕下贴纸后可以看到，2 颗闪存颗粒的激光打标为 ZETTASTONE（泽石），型号为 ZSN002L04C，单颗容量 512GB，实际就是长江存储的 X3-6070 3D QLC 颗粒，剩下两个空焊位就是留给 2TB 和 4TB的版本了。在...
厂商只需购买NAND存储器，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘了。新一代的固态硬盘普遍采用SATA-2...
硬盘为单面 PCB 布局,由 2 颗 NAND 闪存、1 颗主控组成,一些比较紧凑的轻薄本、便携掌机也可以适配。撕下贴纸后可以看到,2 颗闪存颗粒的激光打标为 ZETTASTONE(泽石),型号为 ZSN002L04C,单颗容量 512GB,实际就是长江存储的 X3-6070 3D QLC 颗粒,剩下两个空焊位就是留给 2TB 和 4TB的版本了。
1月30日消息,三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash,这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3D QLC NAND Flash。 根据三星即将演讲的主题《A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm² Areal...