VBsemi 8005H-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件通过Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能和紧凑封装的电源管理和开关应用。 ### 二、详细参数说明 | 参数 | 数值 | |---|---| | 封装类型 | DFN8(3X3) | | 配置 | 单N沟道 | | 漏源电压 (VDS) ...
QFN8-DIP4X4MM间距0.8mm双层板 559.00元 200件可售 QFN8-DIP4X4MM间距0.8mm小板子 559.00元 200件可售 QFN8-DIP3X3MM间距0.5mm 595.00元 200件可售 QFN8-DIP3X3MM间距0.65mm 595.00元 200件可售 支付方式 支付宝微信银行转账 立即订购 加入购物车 商家电话 在线咨询 ...
封装: QFN-8-EP(3x3) 批号: 24+ 数量: 7080 制造商: Mini-Circuits 产品种类: 射频放大器 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: MCLP-8 工作频率: 0.05 GHz to 6 GHz P1dB - 压缩点: 20 dBm 增益: 5.7 dB 工作电源电压: 3 V NF—噪声系数: 2.2 dB 测试频率: 6 GHz OIP3 - 三阶截点...
VBsemi 8005H-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件通过Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能和紧凑封装的电源管理和开关应用。 ### 二、详细参数说明 | 参数 | 数值 | |---|---| | 封装类型 | DFN8(3X3) | | 配置 | 单N沟道 | | 漏源电压 (VDS) ...
封装: QFN-8(3x3) 数量: 5354 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 8V 长度: 5.2mm 宽度: 8.4mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购...
0909NS-VB QFN8(3X3).pdf --- 产品详情 --- 0909NS-VB是一款单N沟道MOSFET,具有以下主要参数: - VDS(漏极-源极电压):30V- VGS(门极-源极电压):20V(±)- Vth(门极阈值电压):1.7V- RDS(ON)(导通时的漏极-源极电阻):19mΩ@VGS=4.5V,13mΩ@VGS=10V- ID(漏极电流):30A- 技术特点:沟道工艺...
QFN-8_3x3x065P 21+ ￥2.0000元100~999 ￥1.9800元1000~9999 ￥1.9500元>=10000 深圳市钽佳源电子有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 TPA2005D1DRBR 音频功率放大器 TI 封装QFN8 批号21+ TPA2005D1DRBR 6800 TI QFN8 21+ ...
型号/规格: QFN8测试座/MLF8测试座 品牌/商标: 进口 QFN8测试座/老化座,MLF8测试座 描述:间距0.5,大小:2X2间距0.5,大小:3X3间距0.5,大小:3X2间距1.27,大小:6X5间距0.8,大小:4X4间距0.8,大小:5X5间距0.65,大小:3X3 了解详情 立即询价 上一篇:供应IC149-144-045测试座/QFP144贴片测试座 下一篇:供应 谷...
QFN-8_3x3x065P 21+ ￥0.8700元10~99 个 ￥0.7770元100~4999 个 ￥0.6960元>=5000 个 深圳市博芯瑞电子有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 TS3330AQPR ST/意法半导体 QFN-8 24+ 运算放大器及比较器功率电 TS3330AQPR
鸿怡电子生产QFN8-0.65-3X3烧录座_QFN8DFN8-8L-0.65(3 3)转DIP老化烧录测试座,同时还生产其他IC测试夹具治具。 型号: QFN8-0.65-3X3烧录座 品牌: HMILU 产地: 中国大陆 接口类型: DIP焊接 颜色分类: 不带板老化座 带板座 适用场景: 烧录/老化 ...