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随着充 H含量的增加, -6 9 PZT5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总 H的质量分数为 112×10 时电阻率降至 151×10 ·cm,介于半导体和绝 Ω 缘体之间.随着 H含量进一步升高,霍尔效应表明 PZT5H陶瓷变成 n型半导体.第一性原理计算表明,当进入 Pb(Zr 05 -6 Ti)O 晶格的H质量分数等于临界值(96×10 )...
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强冲击下 PZT-5H 压电陶瓷的动力响应及电输出特性研究 唐恩凌, 李月, 王睿智, 韩雅菲, 王利, 相升海, 李振波, 高国文, 林晓 初, 刘美, 许迎亮 【摘要】摘要: 为了揭示冲击压力对 PZT-5H 压电陶瓷电输出特性的影响, 利用自行建立的聚偏氟乙烯冲击压力测试系统和压电陶瓷电输出性能测试系统, 以一级轻气...
陶瓷极化就是在电场作用下，让电畴朝电场的方向转向，最后理想结果就是电畴的方向都沿电场方向，但撤去...
地提高PzT.5H铁电陶瓷的饱和和剩余极化强度,压电常数和抗老化性,抗电疲劳性性能.分析表明,PZT一5铁电陶瓷性能的改善可能与热处理改变晶粒微区状态和消除内应力等因素有关.关键词:退火处理;PZT一5H铁电陶瓷;极化强度中图分类号:TM223文献标识码:A文章编号:1001—9731(2007)增刊一0782.031引言PZT铁电陶瓷由于居里...