PZT 5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11 2×10-6时电阻率降至1 51×109Ω·cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT 5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0 5 Ti0 5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0 5Ti0 5)O3]32H系统...
当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图...
材料参数 材料 弹性模量密度 泊松比 相对介电常数 PZT-5H 45 7.50E+03 0.265 1700 铁镓 60GPa 7.8g/cm3 铁镓材料 应变值(10-6)200-300 相对磁导率60-200 杨氏模量 （GPa）70-100 居里温度 （℃）500 响应速度（μs）<1 磁致伸缩材料E Young’smodulus ν ...
研究了锆钛酸铅铁电陶瓷(PZT-5H)的氢致半导体化现象.结果表明,随试样中氢浓度的升高,漏电电流和载流子浓度升高,电阻率下降,颜色由黄变黑.即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝... 黄海友,褚武扬,宿彦京,... - 《金属学报》 被引量: 23发表: 2005年 Effects of Pr Doping on Structural and Dielectric properties of...
0-5. 5,得到锆钛酸铅 前驱体溶胶;步骤二 在勻胶机上利用所得的锆钛酸铅前驱体溶胶成膜; 步骤三将所得的膜在150-300 ° C下进行预热处理l-16h ;步骤四在150-300 °C水热条件下,进行水热处理l-36h,得到晶化的锆钛酸铅薄膜。 2.如权利要求1所述的制备PZT压电陶瓷薄膜的低温晶化方法,其特征在于,步骤...
所以“软性”添加物可 以显著提高PZT的体积电阻率。由于体积电阻率的提高,使材料能耐较高的电 场强度。可以提高极化场强从而使极化过程畴的转向更充分,这就有利于KP值 16 第一章绪论 的提高。 (3)以Pbo.95Bao.05(Znl/3Nb2/3)o3(Zro.5Tio.5)07为基础配方,实验中以外加和取 代的方式加入Sb203,并结合...
(5PbO·WO_3)压电陶瓷在1100℃保温时间为2小时条件下烧结而成,在120℃硅油中,2500V/mm场强下持续极化30分钟,样品达最佳性能.测得的最佳性能参数为:介电常数ε33T/ε0=1593,介电损耗tanδ=0.019,压电系数d_(33)=363PC/N ,机电耦合系数KP=0.60,机械品质因数Qm=66,电阻率ρ_v=5.65×10~(12)Ω·cm,...
介质损耗和交变电场的角频率,损耗电阻,介质电容之间的关系为: tanδ=1/(εCR) 式中:ε为交变电场的角频率;R为损耗电阻;C为介质电容。 2.3机电耦合系数 机电耦合系数k是综合反映压电材料性能的参数,它表示压电材料的机械能与电能的耦合效应,是生产上用得最多的一个参数。机电耦合系数定义为: k=输入的机械...
(α E = δV / tδH ) 来表征其强度 . 加交变磁场是因为 压电体通常需要工作在一个交变驱动力之下 . 这一前提在某种程度上限制了 ME 效应的应用, 也增加了 ME 效应应用的复杂度. 而我们发现, 对于电阻率较高的压电体( 例如 PZT) 做成的 ME 层状复合物, 如果能 采取某些技术手段稳住压电体的表面...