● 内部RC振荡器(LSI RC):通过控制/状态寄存器 (RCC_CSR)的LSION位来设置。 ● 外部32.768kHz振荡器(LSE):通过备份域控制寄存器 (RCC_BDCR)的LSEON位设置。 在停止模式下,如果在进入该模式前ADC和DAC没有被关闭,那么这些外设仍然消耗电流。通过设置寄存器ADC_CR2的ADON位和寄存器DAC_CR的ENx位为0可关闭这2...
用户可以利用PVD对VDD电压与电源控制寄存器(PWR_CR)中的PLS[2:0]位进行比较来监控电源，这几位选择...
进入方式:内核寄存器的SLEEPDEEP=1,PWR_CR 寄存器中的PDDS=1,PWR_CR 寄存器中的唤醒状态位WUF=0,然后调用WFI或WFE指令即可进入待机模式。 唤醒方式:通过 WKUP 引脚的上升沿,RTC 闹钟、唤醒、入侵、时间戳事件或 NRST 引脚外部复位及 IWDG 复位唤醒。 待机时:内核停止,片上外设也停止;内核寄存器、内存的数据会...
20字节的备份寄存器。 唤醒源:5个唤醒引脚,RTC。 唤醒时钟为16MHz的HSI。 Shutdown模式 低功耗模式总结 VBAT备份域 备份域包含:RTC由32.768KHz LSE提供,包含2个入侵引脚(tamper pins); 20字节备份寄存器; RCC_BDCR寄存器。 当VDD电源关闭和开启时,内部会在VBAT和VDD之间自动切换。 内部连接到ADC通道用于检测电压(...
调节的范围可以看一下数据手册,内嵌复位和电源控制模块特性的表的上面就是 PVD 的阈值,配置 PLS 寄存器的 3 个位,可以选择右边这么多的阈值,因为这里也同样是迟滞比较,所以有两个阈值,可选范围是 2.2V 到 2.9V 左右,PVD 上限和下限之间的迟滞电压是 100 mV。可以看到,PVD 的电压是比上电掉电复位的电压要高...
可编程电压检测(PVD)将VDD电压与一个可选的阈值电压比较,阈值可通过PWR_CR寄存器的PLS[2:0]进行选择。 标志位PVDO的值表明VDD电压的值高于或者低于此阈值电压。 如果PVDO的值为0,说明VDD电压高于此阈值电压。 如果PVDO的值为1,说明VDD电压低于此阈值电压。
图1 电源控制寄存器pwr属于外设寄存器,因此图1中的紫色公式,也就是公式(1), 即: 地址偏移=A-0x40000000= CR_OFFSET (2) 位偏移=n= DBP_BitNumber (3) 2.2 计算CR_OFFSET和DBP_BitNumber 我的理解,函数的目的是对电源控制寄存器PWR_CR中的DBP进行操作,由图2可知,位偏移为8, ...
但是复位的时候不会将STM32F片内RTC的寄存器以及后备存储器重置,因为它们是用电池通过专门的VBAT脚供电。 STM32中的NRST有施密特功能。大概在输入电压低于1.9V的时候将芯片复位。 这里重点说standby模式 二设置stm32 进入standby模式需要 1 PWR配置 a-- RCC配置时候开启 PWR、BKP时钟 ...
为了允许访问备份寄存器和RTC,电源控制寄存器(PWR_CR)的DBP 位必须置为( )A.1B.0C.2D.3的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
PWR寄存器结构,PWR_TypeDeff,在文件stm2f10x_map.h中定义如下: typedefstruct { vu32CR; vu32CSR; }PWR_TypeDef; Table321.例举了PWR所有寄存器 Table321.PWR寄存器 寄存器描述 CR功耗控制寄存器 CSR功耗控制状态寄存器 PWR外设声明于文件sm32f10x_map.h: ...