用户可以利用PVD对VDD电压与电源控制寄存器(PWR_CR)中的PLS[2:0]位进行比较来监控电源，这几位选择...
● 内部RC振荡器(LSI RC):通过控制/状态寄存器 (RCC_CSR)的LSION位来设置。 ● 外部32.768kHz振荡器(LSE):通过备份域控制寄存器 (RCC_BDCR)的LSEON位设置。 在停止模式下,如果在进入该模式前ADC和DAC没有被关闭,那么这些外设仍然消耗电流。通过设置寄存器ADC_CR2的ADON位和寄存器DAC_CR的ENx位为0可关闭这2...
20字节的备份寄存器。 唤醒源:5个唤醒引脚,RTC。 唤醒时钟为16MHz的HSI。 Shutdown模式 低功耗模式总结 VBAT备份域 备份域包含:RTC由32.768KHz LSE提供,包含2个入侵引脚(tamper pins); 20字节备份寄存器; RCC_BDCR寄存器。 当VDD电源关闭和开启时,内部会在VBAT和VDD之间自动切换。 内部连接到ADC通道用于检测电压(...
voidSystemInit(void){/* 将RCC时钟配置重置为默认重置状态 *//* 设置HSION位 */RCC->CR |= (uint32_t)0x00000001;/* 复位SW, HPRE, PPRE1, PPRE2, ADCPRE和MCO位 */RCC->CFGR &= (uint32_t)0xF0FF0000;/* 重置HSEON, CSSON和PLLON位 */RCC->CR &= (uint32_t)0xFEF6FFFF;/* 重置HSE...
图1 电源控制寄存器pwr属于外设寄存器,因此图1中的紫色公式,也就是公式(1), 即: 地址偏移=A-0x40000000= CR_OFFSET (2) 位偏移=n= DBP_BitNumber (3) 2.2 计算CR_OFFSET和DBP_BitNumber 我的理解,函数的目的是对电源控制寄存器PWR_CR中的DBP进行操作,由图2可知,位偏移为8, ...
停止模式实现最低功耗,同时保留 SRAM 和寄存器的内容。VCORE 域中的所有时钟都停止,PLL、MSI RC、HSI16 RC 和 HSE 晶体振荡器被禁用。LSE 或 LSI 可以保持运行。 5.2 Stop0模式 从EXTI 入门[1]打开项目 打开main.c 添加一个函数来挂起 Systick(SysTick 通常设置为每 1 毫秒引发一次中断)。
可编程电压检测(PVD)将VDD电压与一个可选的阈值电压比较,阈值可通过PWR_CR寄存器的PLS[2:0]进行选择。 标志位PVDO的值表明VDD电压的值高于或者低于此阈值电压。 如果PVDO的值为0,说明VDD电压高于此阈值电压。 如果PVDO的值为1,说明VDD电压低于此阈值电压。
但是复位的时候不会将STM32F片内RTC的寄存器以及后备存储器重置,因为它们是用电池通过专门的VBAT脚供电。 STM32中的NRST有施密特功能。大概在输入电压低于1.9V的时候将芯片复位。 这里重点说standby模式 二设置stm32 进入standby模式需要 1 PWR配置 a-- RCC配置时候开启 PWR、BKP时钟 ...
数据输入、数据输出和寄存器映射上的可选循环冗余检查（CRC）保持通信完整性。完整的模拟前端（AFE）以20引脚TSSOP封装或无引线20引脚WQFN封装提供，并在-40°C至+125°C的工业温度范围内指定 相关型号：STM32F777ZIT6、BSZ100N06LS3G、ISP752R、LTC3783EFE#TRPBF、NCP431BVSNT1G、MC9S08PA32AVLC、LP2985-18...
过设置寄存器ADC_CR2的ADON位和寄存器DAC_CR的ENx位为0可关闭这2个外设。(这段文字摘自STM32中文参考手册,就是说如果使用了ADC,那么进入低功耗之前先关闭ADC。) 停止模式唤醒之后,默认使用的是HSI 8M的时钟,需要重新初始化时钟和外设 进入低功耗之前可以将引脚全部配置为浮空输入或者Anglog模式,这样最省电,如果你...