一种基于push-push的二三倍频器专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于push-push的二三倍频器说明:本发明提供一种基于push‑push的二三倍频器,包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、...专利查询请上爱企查
本发明提供一种基于push‑push的二三倍频器,包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、中和电容Cp1、中和电容Cp2、变压器TR2;变压器TR1的初级线圈一端连接Port_IN端,另一端接地,变压器TR1的次级线圈一端接NMOS晶体管M1的栅极、中和电容Cp1的一端,变压器TR1的次级线圈另一端接NMOS晶体管M2的栅极,中和电容Cp2的一端。本...
摘要 本发明公开了一种push‑push注锁式倍频器电路,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、LC电路或变压器;第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接;第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极连接,且共源极端接地;第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极接一对差分输入信号;交叉耦合对管由第三NM...
本发明公开了一种push‑push注锁式倍频器电路,包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、LC电路或变压器;第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接;第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极连接,且共源极端接地;第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极接一对差分输入信号;交叉耦合对管由第三NMOS管...
一种push-push注锁式倍频器电路,包括:输入差分对管、交叉耦合对管、变压器;输入差分对管由第一nmos管m1和第二nmos管m2组成;第一nmos管m1的漏极与第二nmos管m2的漏极连接,形成共漏极端;第一nmos管m1的源极与第二nmos管m2的源极连接,形成第一共源极端,且所述第一共源极端接地;第一nmos管m1的栅极vip与第...
1) push-pull doubler 推挽式倍频器2) push-pull quintupler 推挽式五倍频器 3) push-pull tripler 推挽式三倍频器 4) push-pull converter 推挽式变换器,推挽式变频器 5) push-pull audio amplifier 推挽声频放大器 6) pull-push converter 推挽式变流器 ...
1) push-pull quintupler 推挽式五倍频器2) push-pull doubler 推挽式倍频器 3) push-pull tripler 推挽式三倍频器 4) push-pull converter 推挽式变换器,推挽式变频器 5) quintupler ['kwintjuplə] 五倍频器 6) quintupler ['kwintjuplə] 五倍倍频器,五倍倍压器 ...