高速功率驱动器:PT5619集成了三个90V半桥栅极驱动器,可以快速驱动三相电机,提高电机的响应速度和效率。 内置死区时间和上下管直通保护:PT5619内置了死区时间和上下管直通保护,可以有效地防止半桥电路损坏,提高电路的可靠性和稳定性。 低消耗电流的待机模式:PT5619具有低消耗电流的待机模式,可以延长电池的使用时间,节省能...
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PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。 先进的高压BCD 制程和内置...
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PT5619在同一颗芯片中集成了三个90V半桥栅极驱动器,可用于三相电机驱动。其拥有较高的栅极驱动电流,可用来驱动高功率MOS,适合用于锂电池类的手持工具或家电应用。芯片内置了死区时间,上下管直通保护,欠压锁定等保护线路,可有效地降低半桥电路损坏。 审核编辑 黄宇...
PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极 驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直 通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯 片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内 部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压 ...
主要参数 100V三相NMOS栅极驱动器 低侧和高侧宽范围工作电压:6~18V 集成自举二极管 驱动器输出峰值电流能力:IO+/IO-=1A/1.8A 内置死区时间(及短通抑制电路 集成低静态功耗5V LDO 使能端ENDRV,低睡眠静态功耗 低电压保护,过温度保护 兼容3.3V/5V CMOS/TTL逻辑电平 优化...