实验科研 Pt/Ti/SiO2/Si衬底 基片 晶向Si<100><111>尺寸可选 通用款 晶向 泉州起晋新材料科技有限公司 4年 查看详情 ￥135.00/个 陕西西安 MoTe2晶体/钪酸铽(TbScO3)晶体基片 分析纯 西安齐岳生物科技有限公司 5年 查看详情 ￥1440.00/件 北京 中金研直销晶体 锑化铟(InSb)晶体基片 纯度 规格 尺寸 可...
铁电薄膜电容器YBCO/Pb(Ta0.05Zr0.48Ti0.47)O3/YBCO/Pt/TiO2/SiO2/Si的性质[J].南京大学学报(自然科学版) 2001.doi:10.3321/j.issn:0469-5097.2001.05.015李启亮,王栩生,殷江. 铁电薄膜电容器YBCO/Pb(Ta0.05 Zr0.48 Ti0.47 O3/YBCO/Pt/TiO2/SiO2/Si的性质[J].南京大学学报(自然科学版),2001,(05):619-...
技术参数 Si掺杂类型: N型不掺杂 P型掺B 电阻率: >2000ohm.cm 1-20 ohm.cm 薄膜厚度: SiO2=300nm TiO2=20nmPt(111)=150nm Maximum Thermal Budget of Pt film: <800-850 degreeC/1hr 常规尺寸 dia4"+/- 0.5 mmx0.525 单抛;10x10mm
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Pt/TiO2/SiO2/Si(100)基底在镀膜之前要退火么,有没有人做过这个呢,求助各位大侠:victory:求助求助,回答的都是好人,下辈子也是
CVD-WSe2单层/双层薄膜:Si/SiO2衬底齐岳生物供应 -- -- 西安齐岳 -- ￥123.3600元2~10 mg 西安齐岳生物科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 德国CRYSTEC GMBH III-V / II-VI -半导体晶片和衬底 III-V–半导体/II-VI-半导体 -- ...
我实验准备用Si/SiO2/TiO2/Pt 衬底，我一般清洗衬底，是对衬底超声5分钟；但发现，超声该衬底时，超声...
Pt介孔TiO2-SiO2的制备、表征及光催化性能研究 张峰;张歆 【摘要】以正硅酸乙酯、钛酸异丙酯为前驱体,尿素为沉淀剂,改进的均匀沉淀法制备了TiO2-SiO2介孔复合材料,用XRD、FTIR、氮气吸附-脱附、XPS等对材料进行了表征.结果表明:Ti/Si摩尔比为0.5的介孔复合材料平均孔径为3.2nm,比表面积达到609m2/g.用光还原法在...
以草酸(Ox)为催化剂,钛酸异丙酯(TTIP)、硅酸四乙酯(TEOS)分别为钛源和硅源,氯铂酸为Pt源,在光还原条件下,采用溶胶凝胶法一步制备了Pt-TiO2-SiO2透明疏水光催化自清洁材料,对复合材料的形貌和结构进行表征,考察了复合材料的光催化活性.实验结果表明,在草酸催化作用及光还原Pt离子的条件下成功制备了高催... 查...
2薄膜的微观结构表征图2为衬底Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的二氧化钛薄膜的横截面图和外表形貌图。从图2中可以看出,经过600后续退火的薄膜外表光滑平整,晶粒大小均匀,晶粒尺寸约为2030nm,薄膜的厚度约为110nm。3M/TiO2/PtM为Ag、Au、Ti器件的电致阻变效应初始态时,器件处于高阻态,需要一个较大的电压将薄膜初始...