CVD-WSe2单层/双层薄膜:Si/SiO2衬底齐岳生物供应 -- -- 西安齐岳 -- ¥123.3600元2~10 mg 西安齐岳生物科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 德国CRYSTEC GMBH III-V / II-VI -半导体晶片和衬底 III-V–半导体/II-VI-半导体 -- ...
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SiO2层厚: 300nm Si基片晶向: <100> Si基片导电类型: P型掺B Si基片尺寸: Dia 4" x 0.5mm Si基片电阻率: 2~4 ohm. cm 定制尺寸: 10x10x0.5mm / 15x15x0.5mm,或者其他定制尺寸. Pt层晶向: <111> 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,...
主营商品:蓝光led、gan-fs-10、人工晶体、光学元件、gan-fs-n-1.5、单面抛光、高温超导、晶体衬底、單晶基板、超导薄膜、波段连接、阻值氧化锌 进入店铺 全部商品 17:04 c** 联系了该商品的商家 13:35 s** 联系了该商品的商家 19:34 h** 联系了该商品的商家 10:40 m** 联系了该商品的商家 09:50 ...
Si+SiO2+Ti+Pt(111) SiO2: 300nm Ti: 20nm Pt: 150nm P型掺B 电阻率:≥1 ohm.cm 单面抛光 10mm×10mm,20mm×20mm dia 2"~6" RMS<1.5nm ~800℃ 1hr 稳定性好、耐高温、可广泛应用、支持产品定制 应用范围 1)智能穿戴:为生活智能化提供解决方案。
PTZT薄膜脉冲激光淀积铁电性漏电流用脉冲激光淀积方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了掺Ta的PZT薄膜,此薄膜显示了理想的铁电性.漏电流特性表明这种异质结构中Schottky场发射机制起主要作用.扫描电镜形貌照射表明PZT薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散.窦敖川镇江师范专科学校物理系朱涛南京大学功能材料...
目前,在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为:P/P++,N/N++,N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+。中科瑞晶(杭州)科技有限公司专业提供Pt/Ti/SiO2/Si基片,满足科研可应用需求。技术规格Pt 层 : 150 nmTi 层 : 20 nmSiO2 层: ...
在经历650度60分钟退火处理后(模拟了薄膜制备过程中的热处理),Pt/Ti/SiO2/Si衬底均方根粗糙度由最...
本文探讨了常压化学气相沉积法(CVD)下温度,前驱物钨源的量以及其与衬底之间的距离对WSe2薄膜生长的影响,并通过对其调控,在SiO2/Si衬底上制备出最大尺寸50μm的单层WSe2三角薄膜,150μm的六边形单层WSe2薄膜以及0.5cm×0.5cm大面积连续WSe2少层薄膜,并用光学显微镜,拉曼光谱与光致发光谱对单层,双层,三层结构的WSe...