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电子管-场效应管-PSMN4R8-100BSEJ-Nexperia/安世-TO263-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结...
价格说明 商品规格数量/时长含税价格 PSMN4R8-100BSEJ 1-99件 ￥56.63326/件 100-399件 ￥34.32319/件 400-799件 ￥26.81499/件 ≥800件 ￥21.9795/件 售后服务 发票信息 支持开具增值税专用发票(可抵扣)、增值税普通发票(不可抵扣) 服务保障 质保期: 1年 文档下载 PSMN4R8-100BSE.pdf 厦门...
爱企查为您提供深圳市安宇达电子科技有限公司PSMN4R8-100BSEJ MOS场效应管 电子管 Nexperia安世 封装SOT-404等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多接收器、二极管、触发器、保护管、检测器、收发器
PSMN4R8-100BSE MOSFET N-CH D2PAK 场效应管 电流120A 电压 100V。
商品型号PSMN4R8-100BSEJ 商品编号C478006 商品封装TO-263-3 包装方式 编带 商品毛重 1.672克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.8mΩ@10V,25A 属性参数值 功...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 120A(Tj) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 4.8 毫欧 @ 25A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 278nC @ 10V ...
Standard level N-channel MOSFET in a D2PAK package qualified to 175 °C. Part of Nexperia's "NextPower Live" portfolio, the PSMN4R8-100BSE complements the latest "hot-swap" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn on, whilst offering a low RDS(on)...
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Product:Integrated Circuit;Part Number:PSMN4R8-100BSE;Condition:Brand New;Date Code D/C:Contact us;Package:SMD or Through Hole;Lead time:1-3 working days;Datasheet:Please check with sales;Catalogue:Electronic Components;Shipping Way:EXPRESS/AIR/SEA;Paym