PPMT30V4 电子元器件 PRISEMI 封装SOT-23 批号23+ PPMT30V4 20000 PRISEMI SOT-23 23+ ￥0.9200元100~499 个 ￥0.8360元>=500 个 深圳市铭凯微电子有限公司 6年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 PPMT30V4 PRISEMI 代理 全新 封装SOT-23 批号24+ 电子 ...
PPMT30V4由Prisemi(芯导)设计生产,立创商城现货销售。PPMT30V4价格参考￥0.1572。Prisemi(芯导) PPMT30V4参数名称:漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.2A;导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,4.2A;耗散功率(Pd):1.2W;阈值电压(Vgs(th)):1.3V。下载PPMT30V4中文资料
型号 PPMT30V4 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 PPMT30V4、 PRISEMI、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: PRISEMI 封装: SOT-23 批号: 13+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大...
制造商型号: PPMT30V4 制造商: Prisemi 封装/规格: SOT-23 商品描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA P沟,-30V,-4.2A,53mΩ@-10V PDF资料: PPMT30V4.pdf ...
零件编号 PPMT30V4 产品分类 1 制造商 芯导 描述 - 封装 SOT-23 数量 195000 RoHS 状态 YES 分享 价格 $inquiry 询价 IN STOCK: 195000 总数 发送询价单 数量 价格 总价 获取报价信息最新产品 CY8C4014LQI-421T 了解更多 CY8C4014SXI-421 了解更多 7M40090012 了解更多 AZ1117CH-1.8TRG1 ...
PPMT30V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D (3 ) MOSFET Product Summary V (V) RDS(on)( Ω) I (A) DS D G (1
PPMT30V4 PRISEMI 代理 全新 封装SOT-23 批号24+ 电子 深圳市铭凯微电子有限公司 5年 3星 真实性已核验 广东深圳 成立时间 2015-11-27 注册资本 50万元 主要品牌 FREESCALE、美台、德州仪器 主营: tlc7135cn a1240xl-2 a1240xl-1 max791ese lm3103mhx max232cse mc145436p lt1304cs8 sn75179ap...
品牌名称 Prisemi(芯导) 商品型号 PPMT30V4 商品编号 C110725 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.032克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)4.2A 属性参数值 ...
品牌: PRISEMI 型号: PPMT30V4 封装: SOT-23 批次: 13+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 8.5V 长度: 5.3mm 宽度: 5.8mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...