poly-Si TFT 释义 abbr. polycrystalline silicon thin-film transistor 多晶硅薄膜晶体管
多晶硅液晶材料被广泛应用于LCD显示器中,主要用于制造薄膜晶体管(TFT)。多晶硅TFT具有响应速度快、亮度高、色彩鲜艳等优点,因此被广泛应用于手机、电视等电子产品中。此外,多晶硅薄膜还广泛用作MOS晶体管的栅极和MOS电路中的互连,也用作电阻器,以及确保浅结...
根據有機電致發光顯示器件(OLED)的發光特性及多晶矽薄膜晶體管(Poly-Si TFT)的工作特性,對Poly-Si TFT有源驅動OLED的源極跟隨型雙管單元像素驅動電路進行了理論計算和模擬仿真,確定了單元像素中的各種器件參數;通過AIM-Spice的模擬仿真了整個像素電路工作狀態,對器件參數進行了優化.王麗傑...
多晶硅薄膜晶体管也就是采用多晶硅(poly-Si)作为有源层的一种TFT。器件的结构与a-Si∶H TFT类似,如图所示。 blog.163.com|基于502个网页 2. 多晶矽 由于多晶矽(Poly-Si)的电子迁移率约为非晶矽的100倍,面板像素反应时间比非晶矽快10倍;且低温多晶矽的开口率较高, … ...
平板显示技术论文-Poly-Si TFTs fabricated by electric field enhanced metal-induced lateral crystallization 文档格式: .pdf 文档大小: 872.37K 文档页数: 13页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 1 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: IT计算机--网络与通信 ...
在器件的研制过程 中,我们发现,采用金属诱导横向晶化方法制 备poly.SiTF丁时,poly-Si岛的形成是在晶 化前还是在晶化后对v,ly.SiTFT的性能有 较大影响.通过研究晶化前后有源层的刻蚀 对poly.Sin丌性能的影响,确定了有源层 的厚度和刻蚀时机,研制出高性能的pay.Si TFr 2p.lSn的结构与制作工艺 收稿日期~2000...
A p-type low-temperature poly-Si thin film transistors(LTPS TFTs) integrated gate driver using 2 nonoverlapped clocks is proposed.This gate driver features charge-sharing structure to turn off buffer TFT and suppresses voltage feed-through effects.It is analyzed that the conventional gate driver ...
Polycrystalline silicon (p-Si) TFT offers higher aperture ratio with integrated driver circuits compared to the conventional a-Si TFT in AM-LCD application. The advantages of the p-Si TFT as the pixel switching element will be more pronounced for AM-LCDs with large number of scan lines and/...
适用于彩色有机发光显示器的MIUC poly-Si TFT有源选址基板 适用于彩色有机发光显示器的MIUC poly-Si TFT有源选址基板是由南开大学完成的科技成果，登记于2004年3月26日。成果信息 项目成员 孟志国；吴春亚；熊绍珍；王文；郭海成 合作单位 香港科技大学 ...