但是, 如果复合能级处在明显远离禁带宽度中间的位置,忽略在空间电荷层中复合的假设是正确的,而理想的特性曲线是在足够小的电流密度下测得的。 在较高的电流密度下, 此处由p和n区中多数载流子电流产生的电阻性电压降Vdrift是可观的, 在上述公式和图中的外加电压V必须理解为结电压Vj=VF−Vdrift,式中VF表示总的...
第六章pn结二极管:I-V特性 第六章pn结 6.1pn结及其能带图6.2pn结电流电压特性6.3与理想情况的偏差*(了解)6.1pn结及其能带图 据统计:半导体器件主要有67种,另外 还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成:•pn结•金属-半导体接触•MOS结构•异质结•超晶格 6.1pn结及其能带图 1p-...
【解析】【答】pn结正偏压、零偏压和反偏压下的能带图,如图6-4所示nnnEp9(D-)EEEq(V_D+V)EEEEEEp(a)正向偏压b)零偏压c)反向偏压图6-4答案6.4-9图pn结正向偏压时,外电场与内建电场方向相反,势垒区电场减弱,势垒区变薄;多子扩散大于漂移电流,形成正向导通电流:外偏电压为零时,多子扩散等于漂移电流达到...
简述pn结隧道效应,给出该隧道结的 I-V特性示意图,并用能带图加以说明;分析隧道二极管中负阻特性的形成机制。
8.2 异质PN结的I-V特性及注入特性 第八讲 8.2 异质PN结的I-V 特性及注入特性
1石艳玲ylshi@ee.ecnu.edu孙亚宾ybsun@ee.ecnu.edu华东师范大学信息科学技术学院电子工程系二、PN结特性分析及仿真2.1.2PN结I-V特性2.1.2PN结I-V特性正向偏压时pn结势垒的变化外加正向偏压(p区接+,n区接 )时,会产生与内建电场方向相反的外加电场,减弱了势垒区内建电场。势垒区电场减弱,破坏了载流子的扩散运动...
PN结的I-V特性表达式既描写了PN结的正反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性A.正确B.错误
8.2 异质PN结的I-V特性及注入特性 第八讲 8.2 异质PN结的I-V 特性及注入特性
流过pn结的总电流I=IN+IP。因为势垒高度随外加电压线性下降,而载流子浓度随能级指数变化,所 以定性分析可得出正偏时流过pn 结的电流随外加电压指数增加。正偏时的能带/电路混合图 3.反向偏置:势垒高度变高,n型一侧几乎 没有电子能越过势垒进入p区,p区一侧有相同数目的电子进 入耗尽层扫入n区,形成少子 ...