近日,深圳大学董蜀湘教授团队的彭巍副研究员通过AB 位掺杂Li和Nb,引起的点缺陷对,实现PNN-PZT陶瓷的压电系数显著提升,d33~902 pC/N。0.38PNN-0.25PZ-0.37PT0(PNN-PZT)压电陶瓷本身具有较高的压电系数(780 pC/N),且居里温度较高(1...
系统研究了织构化PNN-PZT-xBT陶瓷的结构、畴形态、介电性能、压电性能和机电耦合性能。结果表明,织构化工程策略可以在提高PNN-PZT陶瓷压电性能的同时降低其介电常数,从而显著提高机电耦合器件的g33⋅d33值。对于PNN-PZT-2BT织构陶瓷,其d33、d33*和g33⋅d33的值可分别达到1210 pC N-1、1773 pm V-1和21.9...
PNN-PZTd3研究了PNN-PZT压电陶瓷的制备情况与性能表征.PNN-PZT陶瓷的铁电性与压电性得到证实.使用TF Analyzer 2000测量极化强度与电场之间的关系,结果表明PNN-PZT材料有典型的铁电性.采用传统的固相合成工艺,组分中多加1%PbO,可防止焦绿石相产生.它能使得压电陶瓷的压电常数d33达到425pC/N,机械品质因数Qm到115...
摘要亮点 本实验制备了0.36Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.24PbZrO3-1.40PbTiO3(PNN-PZT)陶瓷,并对其进行了织构化工程以改善其机电性能和温度稳定性。随后,我们使用PNN-PZT、PNN-PZT织构陶瓷制备了单元件超声换能器,并以PZT-5H陶瓷基换能器为基准对该换能器性能进行了...
高压电性能zno掺杂pnn-pfn-pzt压电陶瓷材料 热度: 一种用于低温烧结压电陶瓷材料的烧结设备 热度: A Thesis Submitted in Partial of Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Engineering The investigation of Low Temperature Sintering of ...
低温烧结PNN.PZT陶瓷研究 姜斌,叶耀红,李德红,邓宏,李阳,曾娟,王恩信 (电子科技大学信息材料工程学跨0四Ⅲ成都6toos4) 摘要:采用崔三无乐田溶体..
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http://www.paper.edu.cn PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的 压电介电性能研究1刘培祥,孙清池,何杰,李红元天津大学材料学院,天津(300072) E-mail:liupeixiang1130@hotmail.com 摘要:本文研究了 PMN-PNN-PZT 四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能。研究结 果表明,Ti 含量在 0.370 和 ...
PNN-PZT thick films were prepared by electrophoretic deposition method on different substrates, such as Al2O3, PNN-PZT and Pt. The effects of the substrates and sintering temperature on the densification, microstructure, dielectric and ferroelectric properties of the PNN-PZT thick films were investig...
高压电性能zno掺杂pnn-pfn-pzt压电陶瓷材料 热度: 锑锂掺杂pzt二元每户压电陶瓷性能与优化工艺的分析-(6055) 热度: PNN_PZT陶瓷流延浆料流变性能研究 热度: CERAMICSNTERNATIONAL CeramicsInternational39(2013)9385–9390 Microstructure,temperaturestabilityandelectricalpropertiesofZnO-modi,edPb(Ni1/3Nb2/3)O3–Pb(Fe1...