PN结的接触电阻是指当PN结处于正向偏置或反向偏置时,电流通过PN结时所遇到的电阻。 在正向偏置状态下,PN结的正向电阻非常小,几乎可以忽略不计。这是由于在正向偏置状态下,P区的空穴和N区的电子会向PN结区域扩散,并发生复合,形成导电通道。 而在反向偏置状态下,PN结的反向电阻非常大,接近无穷大。这是由于在反向偏置...
PN结的压降电阻在电子电路中有着广泛的应用,主要包括以下几个方面: 1. 二极管的导通特性:PN结的压降电阻是二极管导通的重要参数,可以用来控制二极管的导通状态。 2. 稳压电路:PN结的压降电阻可以用来设计稳压电路,通过控制PN结的电阻值来实现电路的稳定输出。 3. 电源电路:PN结的压降电阻可以用来设计电...
当在pn结两端加载正向电压时,其电阻特性发生了显著变化。 在正向偏置下,pn结内部的电场方向发生改变,导致载流子在结区的传输阻力减小。这使得pn结呈现出较低的电阻,称为正向电阻。 正向电阻受多种因素影响,包括: 结区宽度:结区越宽,正向电阻越大。 杂质浓度:杂质浓度越高,正向电阻越小。 温度:温度升高会使...
一、PN结电阻的原理 PN结电阻是由PN结区域的载流子浓度和偏置电压决定的。当PN结处于正向偏置时,P区的空穴和N区的电子会向PN结区域扩散并发生复合,形成导电通道,因此电阻非常小,几乎可以忽略不计。相反,当PN结处于反向偏置时,P区的空穴和N区的电子被电场阻止,无法通过PN结区域,因此电阻非常大,接近无穷大。 二...
一,pn结动态电阻的定义 pn结的动态电阻(rd)是一个重要的电学参数,它表示在小信号工作情况下(q点一定时),交流电压与电流变化关系.这个电阻值可以通过pn结电流方程求导得到,其近似值为ut/id,其中ut为温度电压当量,idq为流过pn结的电流. 二,pn...
在PN结中,P型半导体富含空穴(正电荷载流子),而N型半导体富含自由电子(负电荷载流子)。当这两种材料结合时,由于载流子的扩散作用,会在结合面形成一个耗尽区,这个区域中几乎没有自由载流子,因此具有较高的电阻。 PN结的正向偏置 当PN结两端加上正向电压时,即P型半导体接正极,N型半导体接负极,这种状态称为正向偏置。
=Pt=UQ (普适公式) ⑵W=I^2Rt=U^2t/R (纯电阻公式) 9 电功率: ⑴P=W/t=UI (普适公式) ⑵P=I2^R=U^2/R (纯电阻公式)
1、PN结正向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的正向电压，I为流过PN结的电流。当PN结反向偏置时的电阻R=U/I。2、电阻率的计算公式为，ρ=RS/L。在上式中，ρ为电阻率，单位为欧姆，厘米，R为电阻值，单位为欧姆，s为横截面积，单位为平方厘米，L为导线的长度，单位为厘米 ...
如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置.则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场.内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小.此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可...
pn结两端加正向电压时其正向电阻小。一、pn结的基本构成 P型半导体是指通过掺杂少量三价元素（如硼）使半导体获得正电荷载流子（空穴）。掺杂后的半导体中，三价离子将一个电子从共价键中移除，形成带有正电荷的空位，即形成正电荷载流子。N型半导体是指通过掺杂少量五价元素（如磷）使半导体获得负电荷...