一、PN结电阻的原理 PN结电阻是由PN结区域的载流子浓度和偏置电压决定的。当PN结处于正向偏置时,P区的空穴和N区的电子会向PN结区域扩散并发生复合,形成导电通道,因此电阻非常小,几乎可以忽略不计。相反,当PN结处于反向偏置时,P区的空穴和N区的电子被电场阻止,无法通过PN结区域,因此电阻非常大,接近无穷大。 二...
PN结的接触电阻是指当PN结处于正向偏置或反向偏置时,电流通过PN结时所遇到的电阻。 在正向偏置状态下,PN结的正向电阻非常小,几乎可以忽略不计。这是由于在正向偏置状态下,P区的空穴和N区的电子会向PN结区域扩散,并发生复合,形成导电通道。 而在反向偏置状态下,PN结的反向电阻非常大,接近无穷大。这是由于在反向偏置...
解析 如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置.则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场.内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小.此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流...
PN结串联电阻是指在半导体电路中，PN结两端电压与通过PN结的电流之比，是一个用于简化电路分析的等效电阻。以下是对PN结串联电阻的详细解释：一、定义与性质 定义：PN结串联电阻并不是实际的物理电阻，而是一个描述PN结电学特性的等效电阻。它反映了PN结在正向导通时，两端电压与通过电流的线性关系。性质：由...
基区电阻的计算涉及两个核心参数:有效掺杂浓度和基区宽度。有效掺杂浓度是指掺杂在晶体管中的杂质离子浓度,它直接影响到基区的导电性能。基区宽度则是指PN结中基区区域的物理尺寸。理论上,基区电阻越小,晶体管的开关速度就越快,性能也就越优越。 四、PN结的工作原理 在PN结中...
PN结正向导电时,电阻很小 即PN结正向电阻很小 反向电压外患 十 2.PN结加反向电压.如图2.两电场方 P.: + N 向一致增强内电场,载流子扩散运 岗电场 动减弱.没有正向电流通过PN结,只 有少数载流子的漂移运动形成反向电流 少数载流子.故反向电流是微弱的 图2 PN结反向电阻很大 PN结正向导通,反向不通PN结具有单向...
一、PN结动态电阻的定义 PN结的动态电阻(rd)是一个重要的电学参数,它表示在小信号工作情况下(Q点一定时),交流电压与电流变化关系。这个电阻值可以通过PN结电流方程求导得到,其近似值为UT/ID,其中UT为温度电压当量,IDQ为流过PN结的电流。 二...
pn结两端加正向电压时其正向电阻小。一、pn结的基本构成 P型半导体是指通过掺杂少量三价元素（如硼）使半导体获得正电荷载流子（空穴）。掺杂后的半导体中，三价离子将一个电子从共价键中移除，形成带有正电荷的空位，即形成正电荷载流子。N型半导体是指通过掺杂少量五价元素（如磷）使半导体获得负电荷...
PN结的动态电阻 •动态电阻rd 交流、微变电阻 表示在小信号工作情况下(Q点一定时)，交流电压与电流变化关系：iD iDIS(evD/VT1)dvDrddiD Q VTISe vDvTvDVDQ VTIDQ IDQ Q iD 其中：VT为温度电压当量；IDQ为流过PN结得到电流。0 VDQ vD vD 版权：孙文生版权：孙文生 PN结的...
1、PN结正向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的正向电压，I为流过PN结的电流。当PN结反向偏置时的电阻R=U/I。2、电阻率的计算公式为，ρ=RS/L。在上式中，ρ为电阻率，单位为欧姆，厘米，R为电阻值，单位为欧姆，s为横截面积，单位为平方厘米，L为导线的长度，单位为厘米 ...