另外一个研究针对的是急诊腹部外科引起感染性休克的人群,引起感染性休克的12个小时之内,做了第一次血液灌流,然后再过12个小时之内,做了第二次血液灌流,也就是说两次的多粘菌素B的血液灌流在24小时内完成。 Early use of polymyxin B hemoperfusion in patients with sept...
型号: PMXB360ENEAZ 批号: 19+ 封装: 原厂封装 数量: 5000 QQ: 1182228896 制造商: Nexperia 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: DFN-1010D-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 1.1 A Rds On-漏源导通电阻: 345 mOhms Vgs ...
品牌 PMXB 封装 SOP/DIP 批号 22+ 数量 800000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 80C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 7V 长度 2.5mm 宽度 5.3mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 PMXB65UPE 技术参数 品牌: PMXB 型号: PMXB65UPE 封装: SOP/DIP...
PMXB65UPEZ品牌厂家:Nexperia,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购PMXB65UPEZ、查询PMXB65UPEZ代理商; PMXB65UPEZ价格批发咨询客服;这里拥有PMXB65UPEZ中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到PMXB65UPEZ替代型号、PMX...
品牌: PMXB 封装: SOP/DIP 批号: 22+ 数量: 800000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 7V 长度: 2.5mm 宽度: 5.3mm 高度: 2.1mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
型号 PMXB360ENEAZ 产品详情 技术参数 品牌: NEXPERIA 型号: PMXB360ENEAZ 批号: 2020+ 封装: 具体以询价为主 数量: 20518 QQ: 611793177 制造商: Nexperia 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: DFN-1010D-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连...
PMXB360ENEAZ品牌厂家:Nexperia,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购PMXB360ENEAZ、查询PMXB360ENEAZ代理商; PMXB360ENEAZ价格批发咨询客服;这里拥有PMXB360ENEAZ中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到PMXB360ENEAZ替代...
NXP pmxb65upe mosfet用户数据手册.pdf,NXP PMXB65UPE MOSFET datasheet /nxp/pmxb65upe-mosfet-datasheet.html P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package
PMXB65UPEZ 电子元器件 NEXPERIA 批次22+价格 ¥ 103.87 ¥ 103.80 ¥ 103.66 起订数 203个起批 603个起批 1103个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 TLC1543IDWR 模数转换器(ADC) TI 批次2020+ ¥ 0.69 LP5907MFX-1.8/NOPB 电源管理芯片 TI 批次2020+ ¥ 0.58 TAS5720ATD...
Nexperia PMXB360ENEAZ - 属性参数 Attributes Table Product Status: Active Fet Type: N-Ch No of Channels: 1 Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V Drain-Source On Resistance-Max: 450mΩ Rated Power Dissipation: 400mW Qg Gate Charge: 4.5nC Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20...