PMN-PT透明陶瓷具有优良的电光性能，但由于制备高透明陶瓷的难度，其在光通信领域的应用研究很少。为了探索其在光通信中的应用，我们基于Sm掺杂含量0.5%mol的PMN-PT透明电光陶瓷设计了一款电光调制系统。图1(a)是该信号传输装置的示意图。从左到右依次是632nm的He-Ne激光器，起偏器，透明电光陶瓷，检偏器，硅光...
陶瓷,PMN是典型的弛豫铁电材料,介电常数较高,居里温度较低, 为一12℃。因而限制了PMN材料的应用,人们往往将PMN与PbTiO,(简 称PT)固溶以提高其居里温度,使居里温度落在室温范围内。随着PT 含量的提高,PMN的性质将由典型的弛豫铁电材料向普通铁电材料 转变,其中在一定的组成范围内PMN基材料性能介于弛豫铁电体和 普...
PMN-PT光电透明陶瓷有很多方面的应用,透明光电陶瓷除了具有透光性以外,还具有大的光电系数和优异的表观电光克耳效应以及光学双折射等特性,利用这些性能可开发出以下光电子器件。 利用PMN-PT系列透明光电陶瓷的双折射效应、大的光电系数、高的灵敏度,通过在透明光电陶瓷上施加电场从而改变其折射率,达到折射率调谐的目的...
摘要:采用铌铁矿预产物合成法制备了组成在相界附近的(1-x) Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-x PbTiO3 (PMN-PT)弛豫铁电陶瓷.陶瓷样品X-射线衍射相组成和相结构分析表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其他杂相出现;且组成在x=0.33处存在一准同型相界(MPB),在该相界附近三方相和四方相共存,而远离该相界则分别为...
以PbO,MgO,Nb2O5,TiO2为原料,采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0.92PMN-0.08PT陶瓷,并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储能性能进行了研究。在25℃,1kHz条件下,该陶瓷的相对介电常数高达27480,介电损耗tan艿仅为4%,电滞回线形状细长,剩余极化很小,可释放的能量密度达0.31J·cm-3.结果表明:室温下该陶...
PMN-PT晶体在菱形相区、四方相区和MPB区具有优异的压电性能。尤其是在MPB附近的PMN-PT陶瓷具有很高的压电系数、极高的电应变和良好的机电耦合因子,远远大于PZT基陶瓷。PMN-PT陶瓷可用于制造高灵敏度超声换能器、大位移致动器和传感器...
C～900℃,而其介电性能变化4i大。PMN—PT准同型相界附近组成的低温烧结研究还比较少,因此,选择了PMN.PT68/32作为基本组成。而在以LiF为烧结助剂的BaTiO,陶瓷低温烧结研究中发现tT]:LiF可以完全固溶到BaTi03陶瓷中形成具有钙钛矿结构的固溶体,没有第_相产生。而PMN—PT具有和BaTiO,相似的复台钙钛矿结构,因此,...
3.1烧结方式对PMN-PT透明陶瓷的结构与性能影响...17 3.1.1烧结方式对物相组成的影响...17 3.1.2烧结方式对透过率及微观结构的影响...18 3.1.3烧结方式对电学性能的影响...
在准同型相界附近, PMN-PT 陶瓷材料具有较好的压电性能,d33 可达 540 pC/N,kt、kp 分别可达 0.45 和 0.62;在准同型相界附近,极化后的(1-x)PMN-xPT 陶瓷材料(0.22 < x < 0.35)的介电常数在温度诱导 FR-FT 相变过程中发生突变;PMN-PT 陶瓷材 料在 FR-FT 相变过程中呈现出一个热释电峰,反应了...