PMGD280UN - Dual ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications o
商品型号 PMGD280UN-VB 商品编号 C7524968 商品封装 SC70-6 包装方式 编带 商品毛重 0.0215克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 2个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 2.6A 属性参数值 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) 1.5W 阈值电压...
制造商 : NXP Semiconductor 封装/规格 : SOT-363 产品分类 : 分离式半导体 Datasheet: PMGD280UN T/R Datasheet (PDF) RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant 库存: 25000 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X 分享 对比产品 数量 加入BOM 询价 ...
PMGD280UN Dua1 N-channel S0T363 NXP场效应管 优势供应 东莞市厚勤电子有限公司优势代理NXP场效应管, 贴片电容电阻,钽电容,合金电阻,风华代理,TDK代理,三星代理,旺诠,台庆功率电感,顺络功率电感,共模电感,fpc油墨,优立油墨,川裕油墨等。竭力为客户服务。欢迎来电咨询:...
PMGD280UN的FET功能是逻辑电平门，是NXP的一款2N通道场效应管，封装为SOT-363，表面贴装型。
NXP Semiconductors PMR280UN 89Kb / 12P N-channel mTrenchMOS ultra low level FET Rev. 01-5 March 2004 Nexperia B.V. All right... PMGD280UN 212Kb / 13P Dual N-channel mTrenchMOS™ ultra low level FET Rev. 01 - 10 February 2004 NXP Semiconductors PMF400UN 91Kb / 12P N-channel ...
PMGD280UN 由NXP 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 PMGD280UN 价格参考￥ 0 。 NXP PMGD280UN 封装/规格: SOT363, 。你可以下载 PMGD280UN 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: PMGD280UN ...
产品名称:PMGD280UN 品牌: NEXPERIA 包装方式:REEL 封装:SOT-363 标准包装数:3000 库存渠道:联营合作库存 最小起订量: 订购量: - + 库存量:120000 提交询价 不可拆包 可订货 该型号可能还没有上传更新,请发询价到 陈经理 0755-83791199 价格梯度 售价(不含税) 技术...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 PMGD280UN、 NXP/恩智浦、 SOT-363 商品图片 商品参数 品牌: NXP/恩智浦 封装: SOT-363 批号: 2018 数量: 56000 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 包装: 剪切带(CT) ,带卷(TR) 零件状态: 过期 稳压器拓扑: 正...