型号: PMDXB600UNEZ 封装: 贴片 批号: 23+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 6.5V 长度: 7.9mm 宽度: 3.4mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
电子管-场效应管-PMDXB600UNEZ-NEXPERIA/安世-DFN1010B-6-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单...
PMDXB600UNEZ 由Nexperia 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 PMDXB600UNEZ 价格参考￥ 0.6237 。 Nexperia PMDXB600UNEZ 封装/规格: DFN1010B-6, MOS管 Dual N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1010B-6。你可以下载 PMDXB600UNEZ 中文资料、引脚图、Datasheet数据...
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PMDXB600UNEZ Mounting Type standard Description standard Application DFN1010B-6 Type standard Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Please contact us Shipping by:...
NXP恩智浦完整型号:PMDXB600UNEZ 制造商:NXP(恩智浦半导体) 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 系列:TrenchFET FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):20V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):600mA 不同Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA, 4.5V 不...
PMDXB600UNEZ 商品编号 C552764 商品封装 DFN1010-6 包装方式 编带 商品毛重 0.014克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)600mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)470mΩ@4.5V,600mA ...
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制造商编号 PMDXB600UNEZ 商品别名 PMDXB600UNE 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 D-PMDXB600UNEZ 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 PMDXB600UNE Series 20 V 620 mOhm Dual N-channel Trench Mosfet - DFN1010B-6...