激发光谱(PLE)反映了某一固定的发射波长下所测量的荧光强度对激发波长的依赖关系(图2.左图);发射光谱(PL)反映了某一固定激发波长下所测量的荧光的波长分布(图2.右图)。激发光谱与发射光谱之间有波长差,发射光谱波长比激发光谱波长长,发射光谱扫描一般从激发波长往后20-30 ...
光致发光(PL)光谱课件 光致发光（PL）光谱 01 光致发光基本原理 02 定义：所谓光致发(Photoluminescence)指的是以光 作为激励手段，激发材料中的电子从而实现发光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程中伴随发生的现象 基本原理：由于半导体材料对能量高于其吸收限的光子有很强的吸收，吸收系数通常超过104cm-1，...
首先他们测了吸收光谱(左侧的图),你可以看到在200 nm左右有很强的吸收,然后在250-350 nm有着小的山峰,但是完全看不清细节,里面到底有几个峰啊?完全看不出来,当然你直接放大,改变比例尺也行,不过更好的方法是拍PLE,就是右侧图的紫色的区域(右侧在400-700 nm左右的是PL 发射峰)。我们只关注PLE就是紫色区域,...
通过检测PL光谱的强度变化,可直观反映催化剂表面载流子的分离与复合动态。例如,锐钛矿型TiO₂在380nm处的特征峰强度降低,往往预示其载流子复合率下降,这与表面缺陷位点或异质结结构的形成密切相关。 实验分析方法与流程 典型的PL光谱测试包含三个关键环节:首先需制备均匀的催化剂薄膜样品,采用旋涂法在石英基板上形成...
通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时,伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子枪发出的电子束到达样品室并入射到样品表面,样品发出的荧光信号被收集进入单色仪,该信号经单色仪分光后由探测系统探测,计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。常温和低温条件都...
PL光谱用于测定样品的发光位置、相对荧光强度、缺陷态以及尺寸分布等信息。 PLE光谱主要是与对应的吸收光谱对比,可以得到不同发射峰位的样品的成分组成信息。 瞬态荧光发射光谱仪主要测试的是量子点在脉冲激发下的荧光衰减曲线。由此可以得到量子点的辐射寿命以及量子点缺陷态等相关信息。
该PL谱涉及四个区域: (1)近带边区;(2)施主-受主对(DAP)区;(3)受主 中心引起旳中心位于1.4eV旳缺陷发光带;(4)Te空位引起旳 中心位于1.1eV旳发光峰带。 图4 高质量CZT晶体PL谱旳近带边区 该PL谱旳主峰为中性施主旳束缚激子峰(D0, X)。而CdTe和Cd0.96Zn0.04Te在该区域内旳主发光峰则一般为 受主-...
🔬荧光光谱PL是一种非常重要的分析方法,适用于研究样品的荧光和磷光性能。为了确保测试的有效性,样品必须在光激励下能够发光。💡📌对于粉末样品,一般需要20mg以上;对于块状或薄膜样品,基底尺寸应在1*1cm到2*2cm之间。🧪📌对于溶液样品,大约需要5ml。需要注意的是,溶液浓度可能会影响测试结果,因为溶度猝灭和...
通过分析PL光谱，我们可以了解材料的能隙特性、内部缺陷或杂质情况，进而评估材料的品质。例如，氧化锌的光激光谱显示，其375nm波峰具有较窄的半高宽，表明氧化锌具有出色的结晶品质。同时，580nm波峰的宽带分布则揭示了氧化锌中存在氧空缺和氮空缺。荧光样品所发出的发射光谱，通过与分光光度计相连的光电倍增管检测器...