1、I区域的电场表达式: ,PIN结构中I区的压降与电流大小无关; 2、导通压降随厚度的变化并非单调变化,存在最优厚度,对双极性器件的设计具有指导意义。
在PIN结构中,电压和结构之间存在着密切的关系。首先,当在PIN结构中施加外加电压时,由于P-N结的存在,会形成内建电场。这个内建电场可以用来加速电荷载流子的运动,从而影响器件的性能。此外,施加的电压还可以改变P-N结的耗尽层宽度,从而影响器件的导电特性和电子结构。 另外,电压还可以影响PIN结构器件的工作状态。在...
回到主题,雪崩光电探测器的基本结构,在PIN探测器本征区(本征这个概念是春节p型半导体,n型半导体有写,不掺杂或轻掺杂)之后,加一个雪崩倍增区域。 使用APD,都有一个升压电路,这是为了增加外加电场,产生雪崩倍增效果。当然倍增除了倍增有用的光生载流子,也同时倍增热噪声(就是泥石俱下的感觉),把雪崩区选在N型半导体...
在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管,正因为有本征(Intrinsic)层的存在,PIN二极管应用很广泛,从低频到高频的应用都有,主要用在RF领域,用作RF开关和RF保护电路,也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。 因为...
综上所述,该研究利用单粒子冷冻电镜分别解析了生长素转运蛋白PIN8的三种结构形态,并通过结构特征分析揭示了PIN蛋白介导生长素转运的分子机制:在内向开口的构象中(Figure 4左一),去质子化的IAA可进入结合位点,其带负电的羧酸盐基团可被M4b和M9b的正偶极子稳定;在转变为外向开口构象的过程中,交叉结构旋转 20°,从而...
在“PIN结构”一节中,我们已经进一步整理出PIN1的边界条件, 将 的表达式做微分,并带入上述边界条件中,即可得到 和 与电流密度 之间的关系,如下: 将系数 和 带入 的表达式并整理, 取载流子寿命为1 ,芯片厚度为100 ,电流密度为 时,载流子浓度如图所示。显然,阳极(集电极)区域载流子浓度最高,在N-drift区域先降低...
结构力学中pin是铰链连接。根据查询相关资料信息显示，在结构力学中，"pin"通常指的是铰链连接，也称为铰链支座。铰链连接是一种构件连接方式，在两个构件之间使用铰链连接，使得两个构件在连接处可以自由旋转，而不会发生轴向移动。这种连接方式和铰链的连接方式类似，被称为铰链连接。
pin二极管的结构 Leefh 不积跬步无以至千里大多数功率二极管是pin二极管,也就是说,它们具有一个中间区,其掺杂浓度远低于外部相连的p和n层。与单极器件相比,pin二极管的优点是,在基区大注入时,通态电阻大为降低,被称为电导调制。因此,pin二极管可以用到很高的阻断电压。其基区不是如其名所提的本征。本征情况—...
请简述PIN管结构特点。相关知识点: 试题来源: 解析 (1)PIN管工作在反向偏置电压下,且偏置电压不能太高,以避免产生击穿效应; (2)两侧重掺杂p+区和n+区很薄,中间i区要厚得多,i区是光的主要吸收区。光电流主要是由i区产生的非平衡载流子定向运动所形成的; (3)与i相邻的两侧区域都是重掺杂,加上外加反向...
摘要 本发明公开了一种PIN超结结构,包括N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区;所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接;所述P型柱与所述基区连接;所述发射极金属层分别与发射极及基区电学连接;所述本征区设置在N型柱及P型柱之间。本发明提供的PIN超...