二极管电路组合的RC时间常数 由于结电容取决于光电二极管的扩散区以及施加的反向偏置,采用扩散区较小的光电二极管并施加较大的反向偏置即可获得更快的上升时间。在 CN-0272电路笔记中,采用 SFH 2701 PIN光电二极管,其结电容典型值为3 pF,0 V偏置下的最大值为5 pF.1 V反向偏置时的典型电容为2 pF,5 V 反向偏置...
PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor),形成P-I-N结构而得名,如下图所示: 如上图所示,处于反偏状态的器件,电源在PN结形成的电场E与内建电场Ei同方向,使耗尽区加宽。当光波注入时,能在较宽的范 围内激发出载流子,由于i区有电场,光生载流子以较快的漂移速度向电极移动,...
二极管电路组合的RC时间常数 由于结电容取决于光电二极管的扩散区以及施加的反向偏置,采用扩散区较小的光电二极管并施加较大的反向偏置即可获得更快的上升时间。在 CN-0272电路笔记中,采用 SFH 2701 PIN光电二极管,其结电容典型值为3 pF,0 V偏置下的最大值为5 pF.1 V反向偏置时的典型电容为2 pF,5 V 反向偏置...
图1所示电路是一个高速光电二极管信号调理电路,具有暗电流补偿功能。系统转换来自高速硅PIN光电二极管的电流,并驱动20 MSPS模数转换器(ADC)的输入。该器件组合可提供400 nm至1050 nm的频谱敏感度和49 nA的光电流敏感度、91 dB的动态范围以及2 MHz的带宽。信号调理电路采用
PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor),形成P-I-N结构而得名,如下图所示:如上图所示,处于反偏状态的器件,电源在PN结形成的电场E与内建电场Ei同方向,使耗尽区加宽。当光波注入时,能在较宽的范 围内激发出载流子,由于i区有电场,
PIN光电二极管结构及等效电路图PIN光电二极管结构及等效电路图PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor),形成P-I-N结构而得名,如图12.1所示:如图12.1所示,处于反偏状态的器件,电源在PN结形成的电场E与内建电场Ei同方向,使耗尽区加宽