封装 PG-TO-220 批号 23+ 数量 30000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 8V 长度 7.8mm 宽度 5.1mm 高度 1.6mm 可售卖地 全国 型号 IPA60R400CE 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IPA60R400CE 封装: PG-TO-220 批...
封装 PG-TO220-3 批号 22+ 数量 68522 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 7V 长度 1.9mm 宽度 3.2mm 高度 2.9mm 可售卖地 全国 型号 IPA60R180P7 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参...
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封装 PG-TO220-3 批号 21+ 数量 16820 制造商 Infineon Technologies 系列 TrenchStop® IGBT 类型 沟槽型场截止 电流- 集电极脉冲 (Icm) 12 A 功率- 最大值 42 W 开关能量 143µJ 输入类型 标准 栅极电荷 27 nC 25°C 时 Td(开/关)值 14ns/164ns 测试条件 400V,4A,47 欧姆,...
PG-TO220-5-12_Interactive 3D_01 Share 01_00 | Aug 19, 2024 | STP | 426 kb PG-TO220-5-12_Interactive 3D Share 01_00 | Aug 19, 2024 | PDF | 150 kb PG-TO220-5-12_Package Outline Share 01_00 | Aug 19, 2024 | PDF | 105 kb Board Assembly Recommendations (General) Share 05...
中低压功率MOS管 FIR10N10PG TO-220产品品牌:美国福斯特产品类型:中低压功率MOS管产品型号:FIR10N10PG产品封装:TO-220产品标题:N沟道功率MOSFET FIR10N10PG TO-220 100V/9.6A增强型场效应管咨询热线:0769-89027776产品详情 N沟道功率MOSFET FIR10N10PG TO-220 100V/9.6A增强型场效应管 FIR10N10PG的极限值: ...
中低压功率MOS管 FIR50N15PG TO-220 产品品牌:美国福斯特 产品类型:中低压功率MOS管 产品型号:FIR50N15PG 产品封装:TO-220 产品标题:金属场效应管 FIR50N15PG TO-220 插件N沟道增强型功率MOSFET 咨询热线:0769-89027776 产品详情 FIR50N15PG的极限值: ...
Through-Hole Devices (THD): Transistor Outline TO220 plastic green (PG) packages available as 2 - 7 pin variants. Tape & Reel / Tube. To the overview ▷
封装 PG-TO220-3 批号 23+ 数量 12000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-220-3 高度 15.65 mm 长度 10 mm 宽度 4.4 mm 单位重量 2 g 可售卖地 全国 型号 IPP051N15N5 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
封装 PG-TO220-3 批号 23+ 数量 12000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-220-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 650 V Id-连续漏极电流 8.7 A Rds On-漏源导通电阻 420 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 30...